実験とデバイスシミュレーションによるnMOSFETの応力に起因したDC特性変動評価(半導体材料・デバイス)
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概要
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4点曲げ負荷によりnMOSFETの応力に起因した特性変動を実験的に計測した.すなわち,DC特性の応力感度に対するデバイス形状依存性及び電流方向に対する負荷方向依存性が測定された.この特性変動を評価するため,応力効果を考慮した電子移動度モデルを用いてデバイスシミュレーションを実施した.その際,応力によるシリコン伝導帯エネルギーの変化にせん断応力による異方性を考慮することで,実験結果を実用上十分な精度で評価することができた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-04-01
著者
-
池田 徹
京都大学大学院工学研究科
-
宮崎 則幸
京都大学大学院工学研究科
-
小金丸 正明
福岡県工業技術センター機械電子研究所
-
友景 肇
福岡大学工学部電子情報工学科
-
池田 徹
京大
-
池田 徹
京大工
-
Miyazaki Noriyuki
Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute Komazawa Office
-
小金丸 正明
福同工技セ
-
宮崎 則幸
京都大学大学院
-
池田 徹
京都大学大学院
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