4330 樹脂封止されたMOSFETの残留応力に起因した電気特性変動の評価(J05-3 実装信頼性,J05 電子情報機器,電子デバイスの熱制御と強度・信頼性評価)
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概要
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Stress-induced electronic characteristic shifts in resin-molded electronic packages (QFP) were evaluated experimentally. The drain current shifts and transconductance shifts of nMOSFETs were measured. We also investigated the device shape dependence and molding resin dependence of the characteristics shifts. The experimental results were evaluated reasonably using the results of residual stress evaluation in QFP and results of stress sensitivity evaluation of nMOSFETs.
- 社団法人日本機械学会の論文
- 2006-09-15
著者
-
宮崎 則幸
京大工
-
小金丸 正明
福岡県工業技術センター機械電子研究所
-
友景 肇
福岡大学工学部電子情報工学科
-
池田 徹
京大
-
池田 徹
京大工
-
小金丸 正明
福岡工技セ
-
友景 肇
福岡大学
-
Miyazaki Noriyuki
Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute Komazawa Office
-
小金丸 正明
福同工技セ
-
友景 肇
福岡大
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