有限要素法による半導体薄膜中の転位密度解析(OS1a 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本機械学会の論文
• 2004-11-17

著者

• 宮崎 則幸

  京大工

• 宮崎 則幸

  京大

• 原田 千都

  九大院

関連論文

• 多層基板の熱変形挙動の予測およびそのパッケージの反り解析への適用
• 101 LN単結晶の割れに圧電効果が及ぼす影響(OS01.電子デバイス・電子材料と計算力学(1))
• 鈍化き裂まわりの非定常な水素拡散 : 弾塑性連成解析
• 2713 き裂に繰り返し負荷が作用するときの非定常水素拡散解析(OS27.一般セッション(2),ポスターセッションP-5)
• 801 水素と転位の相互作用がbcc鉄単結晶中のモードIき裂進展に与える影響の検討(OS08.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(1))
• 809 第一原理計算によるFeとFe-H系の基本物性と原子間ポテンシャルの評価(OS08.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(3))
• 607 分子動力学法による水素がα鉄中のき裂進展挙動に与える影響の検討(GS-1 分子動力学法,粒子法)
• 粒界特性が水素拡散に与える影響の原子モデルによる検討
• 計算力学解析手法の水素脆化評価への適用
• 820 J積分を用いたナノ結晶分散金属ガラス中のせん断帯伝ぱ抵抗の評価(OS08.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(5))
• 601 有限要素法によるき裂まわりの応力 : 水素拡散シミュレーション(GS-1 き裂,応力拡大係数)
• 605 分子動力学法による金属ガラス中のせん断帯伝ぱ挙動に与えるナノ結晶粒子の影響の検討(GS-1 分子動力学法,粒子法)
• 265 分子動力学法を用いたECAPによるα鉄の結晶粒微細化挙動に及ぼす粒径とひずみ速度の影響の検討(ナノ結晶,OSO7電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価)
• 262 分子動力学法による鉄ナノ多結晶体中のき裂進展挙動のひずみ速度依存性の検討(ナノ結晶,OSO7 電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価)
• 2029 ハイブリッドポテンシャルを用いた鉄ナノ多結晶体中のき裂進展挙動の分子動力学解析(J01-1 材料や構造の破壊/損傷/マルチスケール解析(1),J01 材料や構造の破壊/損傷/マルチスケール解析)
• 固体状ゴム粒子変成エポキシ樹脂接着剤層中のき裂の破壊靱性値とき裂先端ひずみ分布に対する接着剤層厚さの影響
• (4)熱応力下の異方性異種材界面接合端部の特異応力場解析(論文,日本機械学会賞〔2008年度(平成20年度)審査経過報告〕)
• ドリフト拡散デバイスシミュレーションを用いた実装応力に起因するnMOSFETのDC特性変動評価手法
• LCDパネルにおける水分拡散と膨潤応力による反り解析
• 樹脂封止実装時の残留応力に起因したnMOSFETのDC特性値変動評価と電子移動度モデルに関する検討(半導体材料・デバイス)
• 熱応力下の三次元異方性異種材界面き裂の応力拡大係数解析
• 熱応力下の異方性異種材界面接合端部の特異応力場解析
• デジタル画像相関法を用いたレーザ顕微鏡観察による回路基板内部のひずみ分布計測手法
• 電子デバイス信頼性評価問題への計算力学の適用
• 1204 熱応力下の異方性異種材界面接合端部の特異応力場解析(OS12.界面と接着・接合の力学(2),ポスターセッションP-1)
• 103 レーザ走査型顕微鏡画像を用いた画像相関法によるひずみ計測の高精度化(OS01.電子デバイス・電子材料と計算力学(1))
• 602 異方性異種材接合界面端部の特異性応力場解析(GS-1 き裂,応力拡大係数)
• 367 熱応力下の三次元異方性異種材界面き裂の応力拡大係数解析(界面と接着・接合の力学2,OS10 界面と接着・接合の力学)
• 807 三次元異方性異種材界面き裂の応力拡大係数解析手法の開発(OS-8B,OS-8 界面と接着・接合の力学)
• 519 経路積分法による異方性異種材界面き裂の応力拡大係数解析(GS-1 局所構造・き裂,研究発表講演)
• フッ化カルシウム単結晶アニール後の複屈折シミュレーション : クリープ挙動を考慮した残留応力による解析
• MgF_2単結晶アニール後の複屈折シミュレーション(マクロ分子の関与する結晶成長)
• 4330 樹脂封止されたMOSFETの残留応力に起因した電気特性変動の評価(J05-3 実装信頼性,J05 電子情報機器,電子デバイスの熱制御と強度・信頼性評価)
• デジタル画像相関法による微細実装接合部のひずみ計測
• J0103-2-3 デジタル画像相関法と有限要素解析を用いたFlip chipパッケージのはんだ接合部の熱疲労信頼性評価(電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(2))
• 617 はんだリフロー時における電子デバイス実装部の信頼性評価(はんだ,OS01 電子デバイス・電子材料と計算力学)
• 612 CaF_2単結晶アニール後の複屈折シミュレーション(電子デバイス材料,OS01 電子デバイス・電子材料と計算力学)
• 201 半導体薄膜中の転位密度の有限要素解析(OS-2A,OS-2 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
• 有限要素法による半導体薄膜中の転位密度解析(OS1a 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
• 416 局所的な内部加熱を受ける原子炉冷却管のクリープ損傷の三次元FEM解析(OS3-3 クリープ,OS3 エネルギー構造機器の健全性評価と信頼性の高度化3)
• 局所的な内部熱加熱を受ける原子炉冷却管のクリープ損傷解析(FEM解析,計算力学関連の理論・応用技術 OS.2)
• 612 シビアアクシデント状況下の原子炉冷却系配管の局所クリープ損傷解析 : 円管の変形と損傷分布
• 813 温度分布を持つ加熱円管の局所クリープ損傷解析
• 521 局所的加熱を受ける円管のクリープ損傷解析
• 2021 EFG解析における節点移動の効果(S04-3 FEM/メッシュフリー法/粒子法とその関連技術(3),S04 FEM/メッシュフリー法/粒子法とその関連技術)
• 203 塑性ひずみ勾配を考慮した粒子分散構成則による粒子径依存性の解析(OS05 材料の組織・強度に関するマルチスケールアナリシス寸法効果・疲労)
• 3337 多結晶金属の塑性変形挙動と粒径効果に関する離散転位力学法を用いた研究(S18-4 寸法効果,S18 材料の強度と組織)
• 3331 分子動力学法を用いたECAPによるα鉄の結晶粒微細化挙動に与える加工条件の検討(S18-3 微細粒組織と強度,S18 材料の強度と組織)
• 1010 塑性ひずみ勾配を考慮した粒子分散構成則による粒子径依存性の解析検討(OS-10C マクロ・メゾ・マイクロ・ナノスケールを繋げるマルチスケール計算力学,OS-10 マクロ・メゾ・マイクロ・ナノスケールを繋げるマルチスケール計算力学)
• 368 陽極接合部の異種材界面はく離強度評価(界面と接着・接合の力学2,OS10 界面と接着・接合の力学)
• シビアアクシデント状況下における冷却系配管の局所クリープ現象による損傷解析
• 525 ゴム粒子分散エポキシ樹脂のクリープ現象に関する FEM 解析と実験
• 422 エレメントフリーガラーキン法による 3 次元構造解析
• 134 損傷力学モデルを用いた軸圧縮円筒殻のクリープ座屈解析
• クリープ損傷を考慮したクリープ構成則を適用した軸圧縮荷重を受ける円筒殻の分岐クリープ座屈解析(:非弾性挙動の力学)
• J0103-1-2 nMOSFET内部の応力分布を考慮したデバイスDC特性変動シミュレーション(電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(1))
• 205 デジタル相関法を用いた微細実装構造部のひずみ分布評価(OS-2B,OS-2 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
• 実装応力に起因する半導体デバイスの電気特性変動シミュレーション : デバイス内部の応力分布の影響評価
• 有限要素法によるクリープき裂進展シミュレーション
• 610 化合物半導体単結晶のインゴットアニール過程における転位密度評価解析(電子デバイス材料,OS01 電子デバイス・電子材料と計算力学)
• 異方性異種材界面き裂の強度評価(OS7b 界面と接着・接合の力学)
• 611 半導体薄膜中の転位密度の有限要素解析(電子デバイス材料,OS01 電子デバイス・電子材料と計算力学)
• 三次元有限要素法による単結晶育成過程における転位密度解析(OS1a 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
• 異方性導電樹脂を用いたフリップチップ接合部の耐吸湿リフロー設計(J01-2 微細接続信頼性,J01 エレクトロニクス実装における熱制御および信頼性評価)
• 162 EFG解析における節点移動による誤差の検討(種々のメッシュフリー/粒子法,OSO9 メッシュフリー/粒子法と関連技術)
• 909 誤差と関連した節点移動によるアダプティブEFG解析(OS-9C,OS-9 メッシュフリー/粒子法)
• 526 EFG解析と節点再配置手法の検討(S03-3 有限要素法/メッシュフリー法の最近の動向,S03 有限要素法の最近の動向/メッシュフリー法)
• アダプティブメッシュフリー法の精度向上に関する検討(OS8c メッシュフリー/粒子法)
• 616 顕微鏡画像を用いたデジタル画像相関法による微細領域でのひずみ分布計測手法の開発(材料特性,OS01 電子デバイス・電子材料と計算力学)
• 4331 画像相関法による電子デバイス中のひずみ計測(J05-4 基板信頼性,J05 電子情報機器,電子デバイスの熱制御と強度・信頼性評価)
• 1701 ArFエキシマレーザー光源用フッ化カルシウム単結晶チャンバウィンドウの使用環境下における複屈折解析(OS17. 電子デバイス・電子材料と計算力学(1),オーガナイズドセッション講演)
• 1714 1軸負荷に起因するnMOSFETの電気特性変動デバイスシミュレーション(OS17. 電子デバイス・電子材料と計算力学(3),オーガナイズドセッション講演)
• 1503 応力効果を考慮したデバイスシミュレーションによるナノデバイス(nMOSFET)特性変動評価(OS15.電子デバイス・電子材料と計算力学(1),オーガナイズドセッション)
• 1027 水素ガス環境におけるFe, Fe-C, Fe-N系の粒界凝集エネルギーの第一原理計算(OS10. 電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価,OS11. 材料の組織・強度に関するマルチスケールアナリシス 合同ポスターセッション,オーガナイズドセッション講演)
• 1013 水素ガス環境下のα鉄における粒界凝集エネルギーに関する電子・原子シミュレーション(OS10.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(3:粒界),オーガナイズドセッション)
• 232 原子モデルを用いた粒界特性と水素トラップ量の関係の検討(OS15.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(9),オーガナイズドセッション)
• 1604 異方性異種圧電材料接合角部近傍の特異応力場解析(OS16. 表面・薄膜・接合部の力学と信頼性評価(2),オーガナイズドセッション講演)
• 1502 デジタル画像相関法によるFlip Chipパッケージ内部のひずみ測定とFEM解析精度の向上(OS15.電子デバイス・電子材料と計算力学(1),オーガナイズドセッション)
• 1501 画像ゆがみ補正を用いたAFM画像へのデジタル画像相関法の適用(OS15.電子デバイス・電子材料と計算力学(1),オーガナイズドセッション)
• 1516 任意方向育成フッ化カルシウム単結晶のアニール後の複屈折解析 : クリープ挙動を考慮した解析(OS15.電子デバイス・電子材料と計算力学(4),オーガナイズドセッション)
• 715 デジタル画像相関法を用いた熱サイクルをうける多層基板中のはんだバンプの非線形ひずみの計測(OS4.電子デバイス・電子材料と計算力学(3),オーガナイズドセッション)
• OS0419 AFM画像へのデジタル画像相関法の適用 : 面外変形の考慮と精度向上に関する検討(原子スケールモデリングとナノ・マイクロ実験力学(2))
• 1026 第一原理計算に基づくAl中の水素分布の評価(OS10. 電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価,OS11. 材料の組織・強度に関するマルチスケールアナリシス 合同ポスターセッション,オーガナイズドセッション講演)
• 231 第一原理計算と原子間ポテンシャルを用いた応力特異点まわりの水素トラップエネルギー分布の評価(OS15.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(9),オーガナイズドセッション)
• 703 混合モード荷重下の異種結晶材料接合端部の特異性応力場と分子静力学法を用いた転位発生限界に関する研究(OS19.界面と接着・接合の力学,オーガナイズドセッション)
• 705 フッ化マグネシウム単結晶アニール後の複屈折解析(OS4.電子デバイス・電子材料と計算力学(1),オーガナイズドセッション)
• 1010 α鉄における水素助長ひずみ誘起空孔機構に関する検討(OS10. 電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(2),オーガナイズドセッション講演)
• 903 フェーズフィールド法を用いたき裂まわりの相変態を伴う水素拡散解析(OS9. フェーズフィールド法とその応用(1),オーガナイズドセッション講演)
• 2405 有限要素法を用いたき裂を含む内圧負荷円筒の水素拡散解析(OS24.一般セッション(1),オーガナイズドセッション)
• 1019 第一原理計算に基づく水素ガス環境下におけるAl中の格子欠陥まわりの水素占有率の評価(OS10.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(4:格子欠陥・析出物),オーガナイズドセッション)
• 1017 水素がα-Fe中の空孔濃度に及ぼす影響に関する原子モデル解析(OS10.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(4:格子欠陥・析出物),オーガナイズドセッション)
• 1008 金属ガラス中のせん断帯の生成・成長挙動に関するモデル解析(OS10.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(2:局所性),オーガナイズドセッション)
• 1001 α鉄における刃状転位芯近傍の水素拡散障壁に関する検討(OS10.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価,オーガナイズドセッション)
• F4-5 原子モデルを用いた格子欠陥への水素のトラップ状態に関する検討(F-4 水素脆化研究の新展開(シミュレーションと実験との対話),フォーラム)
• F4-4 α鉄における{112}刃状転位射出応力拡大係数に及ぼす水素の影響の考察(F-4 水素脆化研究の新展開(シミュレーションと実験との対話),フォーラム)
• 234 原子モデルを用いた水素による滑り面での破壊機構に関する考察(OS8-2 水素環境が金属強度特性に及ぼす影響,OS8 水素環境が金属強度特性に及ぼす影響)
• 229 分子動力学法を用いたα鉄中の刃状転位近傍の水素拡散挙動解析(OS8-1 水素環境が金属強度特性に及ぼす影響,OS8 水素環境が金属強度特性に及ぼす影響)
• 811 Parallel Replica法による金ナノワイヤーの変形解析(OS7.材料の組織・強度に関するマルチスケールアナリシス/OS8.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価 合同ポスターセッション,OS・一般セッション講演)
• 205 異方性異種圧電材料接合角部近傍の特異応力場解析(OS2.接着・接合・界面・薄膜の理論と実験および信頼性評価(1),OS・一般セッション講演)
• 807 擬似的に水素の影響を考慮した鉄EAMポテンシャルによる水素脆化の分子動力学シミュレーション(OS8.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(2),OS・一般セッション講演)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク