610 化合物半導体単結晶のインゴットアニール過程における転位密度評価解析(電子デバイス材料,OS01 電子デバイス・電子材料と計算力学)
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概要
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- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2006-11-02
著者
-
松本 直樹
京大院
-
宮崎 則幸
京大
-
Miyazaki Noriyuki
Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute Komazawa Office
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