107 デバイスシミュレーションによるnMOSFETへの一軸応力負荷の影響評価(OS1.電子デバイス・電子材料と計算力学(2),OS・一般セッション講演)

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概要

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• 一般社団法人日本機械学会の論文
• 2011-10-08

著者

• 宮崎 則幸

  京都大学大学院工学研究科

• 宮崎 則幸

  九州大学大学院工学研究院化学工学部門

• 宮崎 則幸

  京大

• 友景 肇

  福岡大学

• 宮崎 則之

  京大工

• Miyazaki Noriyuki

  Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute Komazawa Office

• 多田 直弘

  京都大学大学院工学研究科

• 池田 徹

  鹿児島大学大学院理工学研究科

• 小金丸 正明

  福同工技セ

• 多田 直弘

  京都大・院

• 宮崎 則幸

  京都大

• 池田 徹

  京都大

• 友景 肇

  福岡大

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