池田 徹 | 鹿児島大学大学院理工学研究科
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概要
関連著者
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池田 徹
鹿児島大学大学院理工学研究科
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宮崎 則幸
京都大学大学院工学研究科
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宮崎 則幸
九州大学大学院工学研究院化学工学部門
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宮崎 則幸
京大
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宮崎 則之
京大工
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Miyazaki Noriyuki
Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute Komazawa Office
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池田 徹
京大工
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池田 徹
京都大学大学院工学研究科
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池田 徹
京大
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宮崎 則幸
九州大学
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宮崎 則幸
九州大学工学部化学機椀工学科
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宮崎 則幸
京都大学大学院
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小金丸 正明
福同工技セ
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池田 徹
京都大学大学院
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宍戸 信之
京都大学大学院工学研究科
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小金丸 正明
福岡県工業技術センター機械電子研究所
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宮崎 則幸
京都大学
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吉田 圭佑
京都大学大学院工学研究科
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宮崎 則幸
京大工
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田中 宏之
住友ベークライト(株)
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宮崎 則幸
京都大学大学院工学研究科機械理工学専攻
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畑尾 卓也
住友ベークライト(株)
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池田 徹
京都大学 大学院工学研究科
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畑尾 卓也
住友ベークライト (株) 基礎研究所
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池田 徹
京都大学
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友景 肇
福岡大学
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田中 宏之
住友ベークライト生産技術研究所
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貫野 敏史
京都大学大学院工学研究科
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田中 宏之
住友ベークライト
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岡 大智
京都大学大学院工学研究科
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松田 和敏
ソニーセミコンダクタ九州(株)
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松本 龍介
京大工
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友景 肇
福岡大学工学部電子情報工学科
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小金丸 正明
福岡工技セ
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阿部 光利
京大院
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桑原 達彦
京大院
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多田 直弘
京都大学大学院工学研究科
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宮崎 則幸
京都大
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池田 徹
京都大
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河原 真哉
京都大学大学院
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友景 肇
福岡大
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畑尾 卓也
住友ベークライト(株)情報・通信材料総合研究センター評価技術研究部
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松本 龍介
京都大学大学院工学研究科
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上田 真広
京都大学大学院工学研究科
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宍戸 信之
京大院
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松本 圭司
日本アイ・ビー・エム株式会社東京基礎研究所
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貫野 敏史
京大院
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山田 文明
Ibm東京基礎研
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松本 圭司
超先端電子技術開発機構
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山田 文明
超先端電子技術開発機構
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折井 靖光
超先端電子技術開発機構
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吉田 佳佑
京都大・院
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吉田 圭佑
京都大院・学
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貫野 敏史
三菱重工
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宍戸 信之
名古屋工大
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河原 真哉
京大
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久保田 真光
京都大学[院]
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桑原 達彦
京都大学[院]
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小原 さゆり
超先端電子技術開発機構(ASET)
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松本 龍介
京都大学
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田中 宏之
住ベリサーチ株式会社
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嘉田 守宏
超先端電子技術開発機構
-
小原 さゆり
超先端電子技術開発機構
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多田 直弘
京都大・院
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嘉田 守宏
超先端電子技術開発機構(ASET)
-
松本 圭司
超先端電子技術開発機構(ASET)
-
池田 徹
鹿児島大学
著作論文
- 多層基板の熱変形挙動の予測およびそのパッケージの反り解析への適用
- せん断応力効果を考慮したnMOSFETの電気特性変動評価デバイスシミュレーション
- 固体状ゴム粒子変成エポキシ樹脂接着剤層中のき裂の破壊靱性値とき裂先端ひずみ分布に対する接着剤層厚さの影響
- デジタル画像相関法による微細実装接合部のひずみ計測
- 実装応力に起因する半導体デバイスの電気特性変動シミュレーション : デバイス内部の応力分布の影響評価
- 1714 1軸負荷に起因するnMOSFETの電気特性変動デバイスシミュレーション(OS17. 電子デバイス・電子材料と計算力学(3),オーガナイズドセッション講演)
- 1503 応力効果を考慮したデバイスシミュレーションによるナノデバイス(nMOSFET)特性変動評価(OS15.電子デバイス・電子材料と計算力学(1),オーガナイズドセッション)
- J0601-4-4 デジタル画像相関法を用いたひずみ計測による,電子実装部内部の非線形応力解析精度の向上([J0601-4]電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(4))
- 1604 異方性異種圧電材料接合角部近傍の特異応力場解析(OS16. 表面・薄膜・接合部の力学と信頼性評価(2),オーガナイズドセッション講演)
- 1713 ピエゾ抵抗チップとディジタル画像相関法を用いたパッケージ構成材料に起因するチップ表面の残留応力評価(OS17. 電子デバイス・電子材料と計算力学(3),オーガナイズドセッション講演)
- 1502 デジタル画像相関法によるFlip Chipパッケージ内部のひずみ測定とFEM解析精度の向上(OS15.電子デバイス・電子材料と計算力学(1),オーガナイズドセッション)
- 1501 画像ゆがみ補正を用いたAFM画像へのデジタル画像相関法の適用(OS15.電子デバイス・電子材料と計算力学(1),オーガナイズドセッション)
- 605 デジタル画像相関法によるひずみ計測と有限要素解析による次世代三次元積層試作チップの信頼性評価(OS6-1 シリコン貫通ビア技術と強度信頼性)
- 426 デジタル画像相関法を用いた空間解像度の異なる観察系で連携した変形場評価手法の開発と多結晶金属への適用(評価・計測I,一般セッション)
- ドリフト拡散デバイスシミュレーションを用いた1軸負荷に起因するnMOSFETの電気特性変動評価手法
- SEM-DICMによる3次元積層チップの熱ひずみ計測に基づく非線形有限要素解析精度の評価・改善(次世代電子機器を支える三次元積層技術と先端実装の設計・評価技術論文)
- 205 異方性異種圧電材料接合角部近傍の特異応力場解析(OS2.接着・接合・界面・薄膜の理論と実験および信頼性評価(1),OS・一般セッション講演)
- 107 デバイスシミュレーションによるnMOSFETへの一軸応力負荷の影響評価(OS1.電子デバイス・電子材料と計算力学(2),OS・一般セッション講演)
- OS2405 デジタル画像相関法による熱ひずみ計測を用いた次世代三次元積層チップの非線形有限要素解析精度の改善(OS24-2 三次元積層半導体チップにおけるシリコン貫通ビア/微細金属接合技術と強度信頼性,OS-24 三次元積層半導体チップにおけるシリコン貫通ビア/微細金属接合技術と強度信頼性)
- 101 デジタル画像相関法による次世代三次元積層チップ断面のひずみ計測を用いた非線形有限要素法解析精度の向上(OS1.電子デバイス・電子材料と計算力学(1),OS・一般セッション講演)