高橋 和敏 | 佐賀大学シンクロ

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概要

• 同名の論文著者
• 佐賀大学シンクロの論文著者

関連著者

• 高橋 和敏

  佐賀大学シンクロ

• 鎌田 雅夫

  佐賀大学シンクロ

• 東 純平

  佐賀大学シンクロ

• 鎌田 雅夫

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 東 純平

  佐賀大シンクロトロン

• 東 純平

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 高橋 和敏

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 鎌田 雅夫

  佐賀大シンクロトロン

• 高橋 和敏

  佐賀大SLセンター

• 今村 真幸

  神戸大工

• 今村 真幸

  佐賀大学シンクロ

• 鎌田 雅夫

  佐大シンクロ

• 山本 勇

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 山本 勇

  佐賀大学シンクロ

• 徳富 信二

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 今村 真幸

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 東 純平

  佐賀大slセンター

• 鎌田 雅夫

  岡崎国立共同研究機構分子科学研究所

• 倉橋 勇丞

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 小川 浩二

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 小川 浩二

  佐賀大学シンクロ

• 鎌田 雅夫

  分子科学研究所uvsor施設

• 小川 浩二

  佐賀大シンクロ

• 小川 浩二

  立命館大学理工学部

• 杉山 陽栄

  佐賀大学

• 杉山 陽栄

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 石橋 一典

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 穴見 峻平

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 佐々木 実

  山形大理

• 大西 彰正

  山形大理

• 山本 勇

  分子研

• 古賀 豪

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 友景 肇

  福岡大学工学部電子情報工学科

• 挾間 康彰

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 坪井 伸子

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 宮野 なつみ

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 前田 宗瑠

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 香野 淳

  福岡大学理学研究科応用物理学専攻

• 田尻 恭之

  福岡大学理学部物理科学科

• 永田 佑介

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 竹田 光希

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 北浦 守

  山形大理

• 鈴木 孝将

  福岡大学工学部

• 溝上 公祐

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 春田 克己

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 野方 裕太郎

  佐賀大学シンクロ

• Kim H.-J.

  Daugu Univ.

• 柳生 数馬

  福岡大学工学部電子情報工学科

• 栃原 浩

  福岡大学工学部電子情報工学科

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著作論文

• 21pPSA-12 Si(001)初期酸化表面の時間分解角度分解2光子光電子分光(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aRD-4 角度分解2光子光電子分光法によるグラファイト表面の鏡像準位の研究(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aPS-4 セシウムテルライド薄膜フォトカソードの電子親和性(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 19pPSA-10 佐賀大学表面研究用ビームラインの現状(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 26pTD-6 Ag/Si(111)表面の角度分解2光子光電子分光(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pTQ-6 p-GaAs(100)表面におけるSPV効果の超高速時間変化(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
• 26aWB-3 n-type GaAs(100)表画における超高速光励起キャリアダイナミクス(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))
• 19pYD-5 n-type GaAs(100)表面におけるキャリアダイナミクスの解明(光電子分光,領域5(光物性))
• 23aWX-7 時間分解2光子光電子分光によるSi(001)初期酸化表面の研究(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aXQ-1 n-type GaAs(100)表面における超高速時間分解光電子分光(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
• 24aPS-29 Cr/p-GaAs(100)における表面光誘起起電力効果(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 27pPSA-15 時間分解2光子光電子分光によるSi(111)初期酸化表面の研究(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSB-12 グラファイト上の鏡像準位の時間分解角度分解2光子光電子分光(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSB-10 MnPc/HOPG表面における鏡像準位と薄膜電子状態(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-21 SiC上エピタキシャルグラフェンの2光子光電子分光(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-13 角度分解光電子分光によるMnPc/Cu(100)の電子状態研究(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pXK-4 Si(111)上Agナノ薄膜の非占有量子化電子状態(28pXK 表面界面電子物性・金属,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSA-23 時間分解光電子分光によるトポロジカル絶縁体Bi_2Te_3の励起電子ダイナミクスII(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aDK-4 SiC上グラフェンの時間分解光電子分光(グラフェン(分光・構造),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))
• SiC(0001)基板に成長させたゼロ層グラフェンへの銅インターカレーション

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