上浦 洋一 | 岡山大工

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概要

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• 上浦 洋一

  岡山大工

• 上浦 洋一

  岡山大院・産業創成工学

• 橋本 文雄

  岡山大工

• 山下 善文

  岡山大工

• 山下 善文

  岡山大院・産業創成工学

• 石山 武

  岡山大院・産業創成工学

• 石山 武

  岡山大工

• 福田 和久

  岡山大工

• 宮迫 毅明

  岡山大工

• 竹内 良宜

  岡山大工

• 石賀 展昭

  岡山大工

• 松田 能道

  岡山大工

• 林 真佐雄

  岡山大工

• 前田 康二

  東大工

• 末沢 正志

  東北大金研

• 角野 浩二

  東北大金研

• 中村 修二

  日亜化学工業

• 中村 修二

  日亜化学工業(株)第二部門開発部

• 中村 修二

  カリフォルニア大学サンタバーバラ校材料物性工学部

• 杉山 肇

  岡山大工

• 友景 肇

  福大工

• 友景 肇

  福岡大学

• 高田 巧

  岡山大工

• 服部 武志

  阪大工

• 三石 明善

  阪大工

• 三石 明善

  阪大工応物

• 高橋 学

  福工大

• 服部 武志

  阪大・工

• 吉田 正幸

  吉田半導体研究所

• 鶴野 怜治

  九州芸工大

• 米山 修蔵

  岡山大工

• 岩上 泰之

  岡山大・工

• 塩谷 俊行

  岡山大工

• 岩上 泰之

  岡山大工

• 福島 篤史

  岡山大工

• 山本 育尚

  岡山大工

• 福永 拓也

  岡山大工

• 前田 孝

  岡山工大

• 前田 孝

  岡山大工

• 石丸 正弥

  岡山大工

• 服部 武志

  東大物性研

• 山野 耕治

  阪大工

• 西山 佳秀

  岡山大工

• 大山 重紀

  岡山大工

• 条辺 文彦

  岡山大工

• 箱田 善弘

  岡山大工

• 井上 景介

  岡山大工

• 朱 莎

  岡山大工

• 松永 啓一

  岡山大工

• 岡下 敏彦

  岡山大工

• 中村 修二

  日亜化学工業(株)開発部

• 佐々木 真二

  岡山大・工

• 信定 俊英

  岡山大・工

• 信定 俊英

  岡山大工

• 岡 晶久

  岡山大・工

• 岡 晶久

  岡山大工

• 佐々木 真二

  岡山大工

• 佐崎 進

  岡山大・工

• 佐崎 進

  岡山大工

• 池松 淳

  岡山大工

• 米田 稔

  岡山大工

• 中野 秀夫

  岡山大工

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著作論文

• 1a-G-11 急冷したGe中の浅いアクセプタIII : 回復過程
• 25a-T-9 GaN中のMg-H複合欠陥の分解に対する電子励起効果
• 26pYL-7 Si中のPの準格子間機構1結合型移動での移動確率
• 27aYM-5 応力によるSi中Erの発光の増大(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 21pXA-11 p 型 Si 基板上 SiGe 膜の電気的特性に対する水素処理の影響
• 31pYG-8 p 型 Si 基板及び SiGe エピ膜中の B の挙動に対する水素の効果
• 17pTG-7 シリコン中の白金-水素関連欠陥の構造と電子準位
• 29pYC-11 水素によるGe中の転位運動促進効果
• 29pYC-10 水素によるSi中Pイオン注入欠陥の回復促進効果
• 24aY-2 Si中のH-C複合欠陥の電子準位に対する一輪性応力効果
• 31a-ZA-8 Si中のH-C複合欠陥における水素の内部運動(II)
• 25a-T-10 Si中のH-C複合欠陥における水素の内部運動
• 27a-T-2 SiGeエピ膜中の転位運動に対する水素の影響
• 4a-YG-8 Siのサーマルドナーの消滅と欠陥の形成
• 26a-G-12 急冷ゲルマニウムの遠赤外物性
• 28pYC-4 Si中の水素拡散における荷電効果
• 29a-P-3 Si中H-C複合体の光誘起分解機構
• 31a-E-12 Si中の水素-炭素複合体 II : 一軸性応力効果
• 31a-E-11 Si中の水素-炭素複合体 I : 安定性
• 29a-E-5 シリコン中の転位運動に及ぼす水素プラズマ照射効果
• 3p-M-6 Si中のH-C複合体の荷電状態誘起反応
• 27p-N-8 Si中の水素-炭素複合体の安定性と分解機構
• 4a-YG-9 CZ・Si中のニュードナー消滅と酸素の析出
• 4a-YG-5 Si中H-C複合体の光誘起分解機構-II
• 29p-D-5 Si中の水素一炭素複合体の電子励起効果
• 4a-TB-3 急冷したGe中の深いアクセプタ(II)
• 2p-F-12 Si中の新しい熱ドナーの光学的性質
• 4a-TB-9 Si中の急冷欠陥の回復
• 4a-TB-6 CZ-Si中の酸素ドナー(I) : 前熱処理効果
• 8p-S-2 Si中のサーマルドナーの消滅過程
• 29a-H-13 急冷したGe中の浅井アクセプタ (SA_1)のモデル
• 30a-T-10 急冷したSiの回復におよぼす高温熱処理時間の効果
• 9p-P-10 n型Ge中の焼入欠陥のエネルギー準位とその消滅過程
• 25a-T-8 Si中のサーマルドナーの非熱的消滅
• 6p-S-4 Si中のH-C複合欠陥の構造と電子状態(実験)
• 1p-M2-3 CZシリコン中のnew donorとrod-like defect(格子欠陥)
• 3pM2-7 Si中の急冷欠陥の荷電状態に依存した反応(格子欠陥)

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