9p-P-10 n型Ge中の焼入欠陥のエネルギー準位とその消滅過程
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1977-09-20
著者
関連論文
- 30a-T-11 急冷したGe中の浅いアクセプタの回復とそのモデル
- 5a-NJ-3 700℃から急冷したGe中の新しいエネルギー準位をもつ欠陥
- 1a-G-11 急冷したGe中の浅いアクセプタIII : 回復過程
- 4a-L-2 急冷したGe中の浅いアクセプタII-不純物効果
- 12p-DK-8 CZSiの酸素析出に及ぼす前熱処理の効果
- 25a-T-9 GaN中のMg-H複合欠陥の分解に対する電子励起効果
- 27p-K-2 急冷したGe中の深いアクセプタ型欠陥
- 26pYL-7 Si中のPの準格子間機構1結合型移動での移動確率
- 27aYM-5 応力によるSi中Erの発光の増大(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 21pXA-11 p 型 Si 基板上 SiGe 膜の電気的特性に対する水素処理の影響
- 31pYG-8 p 型 Si 基板及び SiGe エピ膜中の B の挙動に対する水素の効果
- 17pTG-7 シリコン中の白金-水素関連欠陥の構造と電子準位
- 29pYC-11 水素によるGe中の転位運動促進効果
- 29pYC-10 水素によるSi中Pイオン注入欠陥の回復促進効果
- 24aY-2 Si中のH-C複合欠陥の電子準位に対する一輪性応力効果
- 31a-ZA-8 Si中のH-C複合欠陥における水素の内部運動(II)
- 25a-T-10 Si中のH-C複合欠陥における水素の内部運動
- 27a-T-2 SiGeエピ膜中の転位運動に対する水素の影響
- 29p-YC-5 Siサーマルドナーの消滅過程
- 4a-YG-8 Siのサーマルドナーの消滅と欠陥の形成
- 12p-DK-9 Si中のサーマル・ドナーの形成・消滅に対する炭素の効果
- 5p-M-10 焼入れたn型Ge中の500℃以上で回復する欠陥II-回復過程
- 30p-ZN-9 シリコン中の水素の低温拡散
- 28a-D-13 Si中の水素-炭素複合体の再結合促進分解反応
- 29p-K-13 シリコン中の水素-炭素複合体の形成過程
- 24a-T-7 Si中の水素に関係した欠陥の光照射下での消滅過程
- 2p-Z-13 化学エッチングによりn型Si中に導入される欠陥
- 2p-F-2 Si中の欠陥の光照射促進反応
- 3p-Q-9 n型Si中の欠陥のアニールに対する光照射効果
- 5p-A3-10 急冷したp型Si中のDeep-Levelのアニール挙動
- 26a-G-12 急冷ゲルマニウムの遠赤外物性
- 28pYC-4 Si中の水素拡散における荷電効果
- 29a-P-3 Si中H-C複合体の光誘起分解機構
- 31a-E-12 Si中の水素-炭素複合体 II : 一軸性応力効果
- 31a-E-11 Si中の水素-炭素複合体 I : 安定性
- 29a-E-5 シリコン中の転位運動に及ぼす水素プラズマ照射効果
- 3p-M-6 Si中のH-C複合体の荷電状態誘起反応
- 27p-N-8 Si中の水素-炭素複合体の安定性と分解機構
- 4a-YG-9 CZ・Si中のニュードナー消滅と酸素の析出
- 4a-YG-5 Si中H-C複合体の光誘起分解機構-II
- 12p-DK-11 p型Si中の水素-炭素複合欠陥の性質
- 29p-D-5 Si中の水素一炭素複合体の電子励起効果
- 27p-H-1 シリコン中の水素の荷電状態
- 29p-K-5 応力印加DLTS法によるCZシリコン中のサーマル・ドナーの研究
- 3a-M-4 急冷したGe中の深いアクセプタ(III)-消滅過程
- 4a-TB-3 急冷したGe中の深いアクセプタ(II)
- 14a-L-5 急冷したGe中の深いアクセプタ
- 14a-L-4 急冷したGe中の浅いアクセプタの回復のモデル
- 24a-T-3 CZシリコン中のNew Donorの形成・消滅過程
- 2p-F-12 Si中の新しい熱ドナーの光学的性質
- 2p-F-11 CZシリコン中のNew Donor形成に対する炭素の効果
- 3p-Q-8 CZシリコン中のnew donorのoriginについて
- 3p-Q-7 CZシリコン中のthermal donor形成に対する炭素の効果
- 5p-A3-9 急冷したn型Si中のDeep-Levelのアニール挙動
- 29a-RC-7 急冷したGe中の深いアクセプタのannealing kinetics
- 29a-RC-5 急冷しにSi中のドナー型欠陥の回復
- 29a-RC-1 Si中の酸素ドナーの初期形成過程
- 3a-M-6 Si中の急冷欠陥の回復(III)
- 3a-M-5 Si中の酸素ドナー(II)-熱処理温度効果
- 4a-TB-9 Si中の急冷欠陥の回復
- 4a-TB-6 CZ-Si中の酸素ドナー(I) : 前熱処理効果
- 30p-J-2 急冷したGe中の浅いアクセプタ
- 4a-AE-13 急冷したGeの回復過程(Stage III)の焼入温度依存性
- 8p-S-2 Si中のサーマルドナーの消滅過程
- 29a-H-13 急冷したGe中の浅井アクセプタ (SA_1)のモデル
- 30a-T-10 急冷したSiの回復におよぼす高温熱処理時間の効果
- 2p-NJ-9 急冷したGeのPhoto-Thermal Ionization Spectroscopy (PTIS)
- 1a-G-10 急冷したP型Siの回復
- 急冷したゲルマニウム中の欠陥
- 30p-J-3 急冷したGeの新しい回復ステージ II
- 3a-P-3 急冷したGeの逆回復過程の解釈
- 31p GJ-1 急冷したGeの新しい回復ステージ
- 31p-BB-16 急冷によりn型Ge中に導入された欠陥 II-annealing behaviour
- 31p-BB-15 急冷によりn型Ge中に導入された欠陥 I-energy level
- 9p-P-10 n型Ge中の焼入欠陥のエネルギー準位とその消滅過程
- 5p-M-9 焼入れたn型Ge中の500℃以上で回復する欠陥I-エネルギー準位
- 25a-T-8 Si中のサーマルドナーの非熱的消滅
- 6p-S-4 Si中のH-C複合欠陥の構造と電子状態(実験)
- 1p-M2-3 CZシリコン中のnew donorとrod-like defect(格子欠陥)
- 3pM2-7 Si中の急冷欠陥の荷電状態に依存した反応(格子欠陥)