12p-DK-9 Si中のサーマル・ドナーの形成・消滅に対する炭素の効果

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1993-09-20

著者

• 上浦 洋一

  岡山大院・産業創成工学

• 橋本 文雄

  岡山大工

• 橋本 文雄

  岡山大・工

• 上浦 洋一

  岡山大・工

• 宇野 裕

  岡山大・工

• 前田 孝

  岡山工大

• 前田 孝

  岡山大・工

• 納 勝善

  岡山大・工

関連論文

• 30a-T-11 急冷したGe中の浅いアクセプタの回復とそのモデル
• 5a-NJ-3 700℃から急冷したGe中の新しいエネルギー準位をもつ欠陥
• 1a-G-11 急冷したGe中の浅いアクセプタIII : 回復過程
• 4a-L-2 急冷したGe中の浅いアクセプタII-不純物効果
• Al-Zn-(Mg_2Si)合金中のG.P.zoneと焼入空孔の相互作用 : 格子欠陥
• 12p-DK-8 CZSiの酸素析出に及ぼす前熱処理の効果
• 25a-T-9 GaN中のMg-H複合欠陥の分解に対する電子励起効果
• 28pXD-3 SiGe膜中への水素侵入に対する格子歪の影響(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21pYM-3 水素によるGe基板上GeSi膜の歪み緩和促進効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27p-K-2 急冷したGe中の深いアクセプタ型欠陥
• 26pYL-7 Si中のPの準格子間機構1結合型移動での移動確率
• 25pYK-4 Si中Pt-H欠陥の局在振動に対する一軸性応力効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25pYK-3 水蒸気プラズマ処理によるInGaNの発光増大(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 21pYM-2 Si中の白金近傍における水素の運動(格子欠陥・ナノ構造(半導体・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21pYM-1 一軸性応力によるSi中Pt-H_2欠陥のエネルギー変化(格子欠陥・ナノ構造(半導体・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27aYM-5 応力によるSi中Erの発光の増大(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 15aTJ-7 Si 中 Pt-H_2 欠陥の応力配向緩和過程 (I)(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
• 15aTJ-8 Si 中の炭素及び白金不純物近傍における水素運動の比較研究(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
• 21pXA-11 p 型 Si 基板上 SiGe 膜の電気的特性に対する水素処理の影響
• 21pXA-10 Si 中の白金近傍での水素運動ダイナミクス
• 31pYG-8 p 型 Si 基板及び SiGe エピ膜中の B の挙動に対する水素の効果
• 17pTG-7 シリコン中の白金-水素関連欠陥の構造と電子準位
• 29pYC-11 水素によるGe中の転位運動促進効果
• 29pYC-10 水素によるSi中Pイオン注入欠陥の回復促進効果
• 24aY-2 Si中のH-C複合欠陥の電子準位に対する一輪性応力効果
• 31a-ZA-8 Si中のH-C複合欠陥における水素の内部運動(II)
• シリコン中の水素-炭素複合欠陥の構造と水素の局所運動
• 25a-T-10 Si中のH-C複合欠陥における水素の内部運動
• 27a-T-2 SiGeエピ膜中の転位運動に対する水素の影響
• 1p-T-6 半導体中の転位運動に及ぼす水素の効果
• 29p-YC-5 Siサーマルドナーの消滅過程
• 4a-YG-8 Siのサーマルドナーの消滅と欠陥の形成
• 12p-DK-9 Si中のサーマル・ドナーの形成・消滅に対する炭素の効果
• 5p-M-10 焼入れたn型Ge中の500℃以上で回復する欠陥II-回復過程
• Al合金中のBe,TiとVacancyの相互作用 : 格子欠陥
• Al合金中のVと不純物原子の相互作用 : 格子欠陥
• 10a-M-11 Al中のAg原子とVacancyの相互作用
• 9a-C-11 αウラン中の過剰なKr,Xeの転位への優先析出
• 30p-ZN-9 シリコン中の水素の低温拡散
• 28a-D-13 Si中の水素-炭素複合体の再結合促進分解反応
• 29p-K-13 シリコン中の水素-炭素複合体の形成過程
• 24a-T-7 Si中の水素に関係した欠陥の光照射下での消滅過程
• 2p-Z-13 化学エッチングによりn型Si中に導入される欠陥
• 2p-F-2 Si中の欠陥の光照射促進反応
• 3p-Q-9 n型Si中の欠陥のアニールに対する光照射効果
• 5p-A3-10 急冷したp型Si中のDeep-Levelのアニール挙動
• 26a-G-12 急冷ゲルマニウムの遠赤外物性
• 28pYC-4 Si中の水素拡散における荷電効果
• 29a-P-3 Si中H-C複合体の光誘起分解機構
• 31a-E-12 Si中の水素-炭素複合体 II : 一軸性応力効果
• 31a-E-11 Si中の水素-炭素複合体 I : 安定性
• 29a-E-5 シリコン中の転位運動に及ぼす水素プラズマ照射効果
• 3p-M-6 Si中のH-C複合体の荷電状態誘起反応
• 27p-N-8 Si中の水素-炭素複合体の安定性と分解機構
• 4a-YG-9 CZ・Si中のニュードナー消滅と酸素の析出
• 4a-YG-5 Si中H-C複合体の光誘起分解機構-II
• 12p-DK-11 p型Si中の水素-炭素複合欠陥の性質
• 29p-D-5 Si中の水素一炭素複合体の電子励起効果
• 27p-H-1 シリコン中の水素の荷電状態
• 29p-K-5 応力印加DLTS法によるCZシリコン中のサーマル・ドナーの研究
• 3a-M-4 急冷したGe中の深いアクセプタ(III)-消滅過程
• 4a-TB-3 急冷したGe中の深いアクセプタ(II)
• 14a-L-5 急冷したGe中の深いアクセプタ
• 14a-L-4 急冷したGe中の浅いアクセプタの回復のモデル
• 24a-T-3 CZシリコン中のNew Donorの形成・消滅過程
• 2p-F-12 Si中の新しい熱ドナーの光学的性質
• 2p-F-11 CZシリコン中のNew Donor形成に対する炭素の効果
• 3p-Q-8 CZシリコン中のnew donorのoriginについて
• 3p-Q-7 CZシリコン中のthermal donor形成に対する炭素の効果
• 5p-A3-9 急冷したn型Si中のDeep-Levelのアニール挙動
• 29a-RC-7 急冷したGe中の深いアクセプタのannealing kinetics
• 29a-RC-5 急冷しにSi中のドナー型欠陥の回復
• 29a-RC-1 Si中の酸素ドナーの初期形成過程
• 3a-M-6 Si中の急冷欠陥の回復(III)
• 3a-M-5 Si中の酸素ドナー(II)-熱処理温度効果
• 4a-TB-9 Si中の急冷欠陥の回復
• 4a-TB-6 CZ-Si中の酸素ドナー(I) : 前熱処理効果
• 30p-J-2 急冷したGe中の浅いアクセプタ
• 4a-AE-13 急冷したGeの回復過程(Stage III)の焼入温度依存性
• 8p-S-2 Si中のサーマルドナーの消滅過程
• 29a-H-13 急冷したGe中の浅井アクセプタ (SA_1)のモデル
• 30a-T-10 急冷したSiの回復におよぼす高温熱処理時間の効果
• 2p-NJ-9 急冷したGeのPhoto-Thermal Ionization Spectroscopy (PTIS)
• 1a-G-10 急冷したP型Siの回復
• 急冷したゲルマニウム中の欠陥
• 30p-J-3 急冷したGeの新しい回復ステージ II
• 3a-P-3 急冷したGeの逆回復過程の解釈
• 31p GJ-1 急冷したGeの新しい回復ステージ
• 31p-BB-16 急冷によりn型Ge中に導入された欠陥 II-annealing behaviour
• 31p-BB-15 急冷によりn型Ge中に導入された欠陥 I-energy level
• 9p-P-10 n型Ge中の焼入欠陥のエネルギー準位とその消滅過程
• 22aGQ-13 Si基板上SiGe薄膜中の転位運動に対する不純物ドープの影響(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 5p-M-9 焼入れたn型Ge中の500℃以上で回復する欠陥I-エネルギー準位
• 25a-T-8 Si中のサーマルドナーの非熱的消滅
• 6p-S-4 Si中のH-C複合欠陥の構造と電子状態(実験)
• 24pCD-7 Si基板上SbドープSiGe薄膜中の転位運動(24pCD 格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 6pSL-7 Si中のPt-H2複合欠陥の対称性とPt近傍での水素の運動(不純物・格子欠陥,領域10,領域4合同,領域10)
• 1p-M2-3 CZシリコン中のnew donorとrod-like defect(格子欠陥)
• 1p-M2-4 CZシリコン中の新しい酸素ドナー(格子欠陥)
• 3pM2-7 Si中の急冷欠陥の荷電状態に依存した反応(格子欠陥)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク