上浦 洋一 | 岡山大・工
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
上浦 洋一
岡山大・工
-
橋本 文雄
岡山大・工
-
橋本 文雄
岡山大工
-
上浦 洋一
岡山大院・産業創成工学
-
米田 稔
岡理大・理
-
山下 善文
岡山大・工
-
石山 武
岡山大・工
-
米田 稔
岡山大・工
-
石山 武
岡山大院・産業創成工学
-
山下 善文
岡山大院・産業創成工学
-
包 那木拉
岡山大・工
-
柳野 公治
岡山大・工
-
信定 俊英
岡山大・工
-
前原 睦
岡山大・工
-
杉山 肇
岡山大工
-
杉山 肇
岡山大・工
-
高田 巧
岡山大工
-
高田 巧
岡山大・工
-
徳田 豊
愛知工大
-
佐藤 公泰
岡山大学大学院・自然科学研究科
-
佐藤 公泰
岡山大・工
-
岩上 泰之
岡山大・工
-
筒江 誠
岡山大・工
-
菊川 博仁
岡山大・工
-
米山 慎一郎
岡山大・工
-
岡 晶久
岡山大・工
-
佐崎 進
岡山大・工
-
前田 康二
東大・工
-
西村 輝一
岡山大・工
-
本田 博嗣
岡山大・工
-
徳田 豊
愛知工学部工学部電子工学科
-
宇野 裕
岡山大・工
-
大久保 孝一
岡山大・工
-
朱 莎
岡山大・工
-
西笛 秀樹
岡山大・工
-
山下 善文
岡山大工
-
JYOBE F.
岡山大・工
-
前田 孝
岡山工大
-
前田 孝
岡山大・工
-
納 勝善
岡山大・工
-
岡下 敏彦
岡山大・工
-
寺尾 浩文
岡山大・工
-
小林 勝
岡山大・工
-
朱 莎
岡山大工
-
岡下 敏彦
岡山大工
-
岡田 丈二
岡山大・工
-
立川 景士
岡山大・工
-
佐々木 真二
岡山大・工
-
山路 敏文
岡山大・工
-
本田 浩嗣
岡山大・工
-
高橋 裕彦
岡山大・工
著作論文
- 5a-NJ-3 700℃から急冷したGe中の新しいエネルギー準位をもつ欠陥
- 4a-L-2 急冷したGe中の浅いアクセプタII-不純物効果
- 12p-DK-8 CZSiの酸素析出に及ぼす前熱処理の効果
- 27p-K-2 急冷したGe中の深いアクセプタ型欠陥
- 21pYM-2 Si中の白金近傍における水素の運動(格子欠陥・ナノ構造(半導体・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 15aTJ-7 Si 中 Pt-H_2 欠陥の応力配向緩和過程 (I)(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 15aTJ-8 Si 中の炭素及び白金不純物近傍における水素運動の比較研究(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 21pXA-10 Si 中の白金近傍での水素運動ダイナミクス
- 1p-T-6 半導体中の転位運動に及ぼす水素の効果
- 12p-DK-9 Si中のサーマル・ドナーの形成・消滅に対する炭素の効果
- 5p-M-10 焼入れたn型Ge中の500℃以上で回復する欠陥II-回復過程
- 30p-ZN-9 シリコン中の水素の低温拡散
- 28a-D-13 Si中の水素-炭素複合体の再結合促進分解反応
- 29p-K-13 シリコン中の水素-炭素複合体の形成過程
- 24a-T-7 Si中の水素に関係した欠陥の光照射下での消滅過程
- 2p-Z-13 化学エッチングによりn型Si中に導入される欠陥
- 2p-F-2 Si中の欠陥の光照射促進反応
- 3p-Q-9 n型Si中の欠陥のアニールに対する光照射効果
- 5p-A3-10 急冷したp型Si中のDeep-Levelのアニール挙動
- 12p-DK-11 p型Si中の水素-炭素複合欠陥の性質
- 27p-H-1 シリコン中の水素の荷電状態
- 29p-K-5 応力印加DLTS法によるCZシリコン中のサーマル・ドナーの研究
- 3a-M-4 急冷したGe中の深いアクセプタ(III)-消滅過程
- 14a-L-5 急冷したGe中の深いアクセプタ
- 14a-L-4 急冷したGe中の浅いアクセプタの回復のモデル
- 24a-T-3 CZシリコン中のNew Donorの形成・消滅過程
- 2p-F-11 CZシリコン中のNew Donor形成に対する炭素の効果
- 3p-Q-8 CZシリコン中のnew donorのoriginについて
- 3p-Q-7 CZシリコン中のthermal donor形成に対する炭素の効果
- 5p-A3-9 急冷したn型Si中のDeep-Levelのアニール挙動
- 29a-RC-7 急冷したGe中の深いアクセプタのannealing kinetics
- 29a-RC-5 急冷しにSi中のドナー型欠陥の回復
- 29a-RC-1 Si中の酸素ドナーの初期形成過程
- 3a-M-6 Si中の急冷欠陥の回復(III)
- 3a-M-5 Si中の酸素ドナー(II)-熱処理温度効果
- 30p-J-2 急冷したGe中の浅いアクセプタ
- 4a-AE-13 急冷したGeの回復過程(Stage III)の焼入温度依存性
- 2p-NJ-9 急冷したGeのPhoto-Thermal Ionization Spectroscopy (PTIS)
- 30p-J-3 急冷したGeの新しい回復ステージ II
- 31p GJ-1 急冷したGeの新しい回復ステージ
- 31p-BB-16 急冷によりn型Ge中に導入された欠陥 II-annealing behaviour
- 31p-BB-15 急冷によりn型Ge中に導入された欠陥 I-energy level
- 5p-M-9 焼入れたn型Ge中の500℃以上で回復する欠陥I-エネルギー準位
- 6pSL-7 Si中のPt-H2複合欠陥の対称性とPt近傍での水素の運動(不純物・格子欠陥,領域10,領域4合同,領域10)
- 1p-M2-4 CZシリコン中の新しい酸素ドナー(格子欠陥)
- 3a-A3-8 Si中の急冷欠陥の回復(II)(3a A3 格子欠陥,格子欠陥)