徳田 豊 | 愛知工学部工学部電子工学科
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概要
関連著者
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徳田 豊
愛知工学部工学部電子工学科
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徳田 豊
愛知工業大学 電子工学科
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徳田 豊
愛知工業大学
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高木 誠
愛知工大
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岩田 博之
愛工大
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高木 誠
愛知工業大学工学部機械学科
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井村 徹
愛知工業大学 工学部 機械学科
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伊藤 明
鈴鹿工業高等専門学校電子情報工学科
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伊藤 明
鈴鹿工業高等専門学校
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高木 誠
愛知工業大学
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岩田 博之
愛知工業大学工学部電子工学科
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岩田 博之
愛知工業大学
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市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
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山田 登
豊田中央研究所
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井村 徹
愛知工業大学機械工学科
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荒井 英輔
名古屋工業大学大学院工学研究科
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荒井 英輔
名古屋工業大学
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市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
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市村 正也
名古屋工業大学
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加藤 正史
名古屋工業大学
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上田 博之
豊田中研
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池田 幸治
愛知工業大学工学研究科
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加地 徹
豊田中研
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副島 成雅
豊田中研
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石黒 修
豊田中研
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上田 博之
豊田中央研究所
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加地 徹
豊田中央研究所
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松岡 陽一
愛知工業大学
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妹尾 武
愛知工業大学
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石黒 修
豊田中央研究所
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副島 成雅
豊田中央研究所
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加地 徹
株式会社豊田中央研究所
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Imura T
Department Of Mechanical Engineering Aichi Institute Of Technology
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祖父江 文孝
名古屋工業大学
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阿部 哲士
名古屋工業大学
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高木 誠
愛知工大・工
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岩田 博之
愛知工大・工
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井村 徹
愛知工大・工
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白木 弘幸
三菱マテリアル総合研究所
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佐々 紘一
三菱マテリアル総合研究所
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徳田 豊
愛知工大
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徳田 豊
愛知工大・電子
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宇佐美 晶
Department of Electronics, Nagoya Institute of Technology
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古賀 祥泰
名古屋工業大学
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白木 弘幸
三菱マテリアル(株)シリコン研究センター
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佐々 紘一
三菱マテリアル株式会社 総合研究所
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内田 悦行
愛知工業大学工学部電気学科
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奥村 次徳
首都大学東京大学院理工学研究科
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奥村 次徳
東京都立大学大学院工学研究科
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奥村 次徳
東京都立大・電気
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上浦 洋一
岡山大院・産業創成工学
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伊藤 慶文
(財)若狭湾エネルギー研究センター
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石神 龍哉
(財)若狭湾エネルギー研究センター
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内田 悦行
愛知工業大学
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上浦 洋一
岡山大・工
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石神 龍哉
若狭湾エネルギー研究センター
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井村 徹
愛知工大
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岩田 博之
愛知工大
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赤尾 保男
愛知工業大学工学部情報通信工学科
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石原 伸一郎
松下電器
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岩田 博之
愛知工学部工学部電子工学科
-
清水 孝延
愛知工学部工学部電子工学科
-
横井 久人
愛知工学部工学部電子工学科
-
浪崎 豊史
愛知工業大学工学部電子工学科
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大島 久純
デンソー
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金森 栄次
愛知工業大学機械工学科
-
野村 知代
愛知工大・機械
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加藤 勇夫
愛知工業大学工学研究科
-
下方 稔久
愛知工業大学工学研究科
-
鈴木 均
愛知工業大学工学部電子工学科
-
井上 彌治郎
愛知工業大学工学部電子工学科
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都築 幸久
愛知工業大学工学部電子工学科
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石原 伸一郎
松下中研
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田立 典泰
愛知工業大学電子工学科
-
松村 覚
愛知工業大学電子工学科
-
伊藤 慶文
若狭湾エネルギー研究センター
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石山 武
岡山大院・産業創成工学
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山下 善文
岡山大院・産業創成工学
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山下 善文
岡山大・工
-
石山 武
岡山大・工
-
岩上 泰之
岡山大・工
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石原 伸一郎[他]
松下中研
-
徳田 豊[他]
愛知工業大学工学部電子工学科
著作論文
- 不均一キャリア濃度分布がDLTS測定に及ぼす影響
- RBS/Cを用いた水素イオン注入欠陥の評価
- 不均一キャリア濃度分布がDLTS測定に及ぼす影響
- 不均一キャリア濃度分布がDLTS測定に及ぼす影響
- 一定容量電圧過渡分光法によるバルクGaAs結晶中電子トラップの評価
- バルクGaAs結晶中電子トラップの一定容量電圧過渡分光法による評価
- バルクGaAs結晶中電子トラップの一定容量電圧過渡分光法による評価
- 光転写法による光学素子の作製と精密光技術応用システムに関する研究
- ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 低温水素イオン注入により導入されたシリコン結晶欠陥の特性分析
- プロトン剥離現象における不純物依存性
- プロトン注入シリコンの加熱その場観察(プロジェクト研究)
- 低温水素イオン注入シリコンの欠陥構造分析 (放射線とイオンビームによる物質構造の研究と改質・合成)
- Hイオン注入されたシリコンの欠陥分布観察(プロジェクト研究)
- 435 H^+注入されたSiの加熱剥離挙動(O.S.9. 機能薄膜創成と物性)
- 水素導入によるp^+シリコン中の欠陥評価用ショットキダイオードの作製(半導体Si及び関連電子材料評価)
- 高ドーズ水素イオン注入シリコンの物性とそのSOI製作への応用
- 水素イオン注入により発生したシリコン結晶内プレートレットのTEM観察
- 水素イオン注入欠陥のその場加熱観察
- 水素イオン注入欠陥層のプレートレット分布評価
- p型Czochralski成長シリコンウェーハのDLTS評価
- パーソナルコンピュータを用いた半導体中トラップの評価システムの製作
- X線光電子分光法によるGaAs表面の評価
- ショットキダイオードのアドミタンス測定から評価したa-Si:Hの抵抗率の膜厚依存性
- MOS界面準位密度の自動測定
- 半導体接合容量を用いた不純物濃度測定へのマイクロコンピュ-タの応用
- 中性子照射されたシリコン n チャンネル接合形電界効果トランジスタの熱処理
- 半導体中の深い準位を検出するための一方法
- 中性子照射されたP型シリコンにおける欠陥群の易動度への影響
- 21pXA-10 Si 中の白金近傍での水素運動ダイナミクス
- 3C-SiCの容量DLTS測定による電子トラップの捕獲断面積とエネルギー準位の評価
- 3C-SiCの容量DLTS測定による電子トラップの捕獲断面積とエネルギー準位の評価
- 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
- 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
- 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定