p型Czochralski成長シリコンウェーハのDLTS評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Hole traps in boron doped p-type Czochralski-grown (100) silicon wafers have been studied by deep-level transient spectroscopy. Three hole traps of E_V+0.10eV(H1), E_V+0.42eV(H2) and E_V+0.44eV(H3) are observed. Their concentration is in the range 10^<10>-10^<13> (cm)^<-3>. Trap H2,H3 are annealed out in the temperature range 300℃-350℃. Trap H1 is probably associated iron-boron complex, since its hole thermal emission data coincide with those of iron-boron complex. However, the origins of trap H2,H3 are still unknown.
- 愛知工業大学の論文
著者
関連論文
- 不均一キャリア濃度分布がDLTS測定に及ぼす影響
- RBS/Cを用いた水素イオン注入欠陥の評価
- 不均一キャリア濃度分布がDLTS測定に及ぼす影響
- 不均一キャリア濃度分布がDLTS測定に及ぼす影響
- 一定容量電圧過渡分光法によるバルクGaAs結晶中電子トラップの評価
- バルクGaAs結晶中電子トラップの一定容量電圧過渡分光法による評価
- バルクGaAs結晶中電子トラップの一定容量電圧過渡分光法による評価
- 光転写法による光学素子の作製と精密光技術応用システムに関する研究
- ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 低温水素イオン注入により導入されたシリコン結晶欠陥の特性分析
- プロトン剥離現象における不純物依存性
- プロトン注入シリコンの加熱その場観察(プロジェクト研究)
- 低温水素イオン注入シリコンの欠陥構造分析 (放射線とイオンビームによる物質構造の研究と改質・合成)
- Hイオン注入されたシリコンの欠陥分布観察(プロジェクト研究)
- 435 H^+注入されたSiの加熱剥離挙動(O.S.9. 機能薄膜創成と物性)
- 水素導入によるp^+シリコン中の欠陥評価用ショットキダイオードの作製(半導体Si及び関連電子材料評価)
- 高ドーズ水素イオン注入シリコンの物性とそのSOI製作への応用
- 水素イオン注入により発生したシリコン結晶内プレートレットのTEM観察
- 水素イオン注入欠陥のその場加熱観察
- 水素イオン注入欠陥層のプレートレット分布評価
- p型Czochralski成長シリコンウェーハのDLTS評価
- パーソナルコンピュータを用いた半導体中トラップの評価システムの製作
- X線光電子分光法によるGaAs表面の評価
- ショットキダイオードのアドミタンス測定から評価したa-Si:Hの抵抗率の膜厚依存性
- MOS界面準位密度の自動測定
- 半導体接合容量を用いた不純物濃度測定へのマイクロコンピュ-タの応用
- 中性子照射されたシリコン n チャンネル接合形電界効果トランジスタの熱処理
- 半導体中の深い準位を検出するための一方法
- 中性子照射されたP型シリコンにおける欠陥群の易動度への影響
- 21pXA-10 Si 中の白金近傍での水素運動ダイナミクス
- 3C-SiCの容量DLTS測定による電子トラップの捕獲断面積とエネルギー準位の評価
- 3C-SiCの容量DLTS測定による電子トラップの捕獲断面積とエネルギー準位の評価
- 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
- 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
- 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
- DLTS法によるSiCショットキダイオードの電子トラップの評価(工学部:電気学科 電気工学専攻・電子工学専攻・情報通信工学専攻)