水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
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概要
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我々はシリコン基板上の3C-SiCにプラズマにより水素を導入する事でその欠陥を不活性化する事を試みた。そして、その試料を容量DLTS法により評価した。結果、処理を施す前に存在していた電気的欠陥が不活性になり、新たにプラズマ処理のダメージによる欠陥が発生する事が確認された。その試料を400℃でアニールするとダメージによる欠陥はアニールされる。そして、500℃でアニールすると、導入した水素が抜け、プラズマ処理をする前に見られた欠陥が再び活性化することがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-05-11
著者
-
加藤 正史
名古屋工業大学
-
市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
-
山田 登
豊田中央研究所
-
徳田 豊
愛知工業大学 電子工学科
-
徳田 豊
愛知工学部工学部電子工学科
-
荒井 英輔
名古屋工業大学大学院工学研究科
-
徳田 豊
愛知工業大学
-
祖父江 文孝
名古屋工業大学
-
荒井 英輔
名古屋工業大学
-
市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
-
市村 正也
名古屋工業大学
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