KOH 水溶液を用いた電気化学的手法による 6H-SiC の微細加工の試み
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概要
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n型6H-SiCバルク結晶をKOH水溶液に浸し,陽極として作用させる電気化学的手法によりエッチングを行った.KOH濃度,温度,電流密度等のエッチング時の条件によって,表面の荒れとエッチングレートが変化した.最も表面荒れの少なく,ある程度のエッチングレートが得られる条件を用いて,6H-SiCの微細加工を試みた.このときニッケルをマスク材料として用い,紫外光照射しながらエッチングを行った.その結果,未だ問題点はあるものの,微細なパターンの形成に成功した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-10-04
著者
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