イオン注入による欠陥準位導入によってシリコン太陽電池の効率は改善するか(機能ナノデバイス及び関連技術)
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概要
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単結晶シリコン太陽電池の発電効率は、理論効率の限界まで近づいている。その理論限界を超えて効率向上を行なうためには新たな技術が必要である。シリコンのバンド内に欠陥準位を導入することでバンドギャップより小さなエネルギーの光も吸収し効率が改善される可能性が報告されているが、実証はされていない。本研究では、シリコンウェハに水素イオンを注入して欠陥準位導入を行ない、それによって生じた準位のトラップパラメータと吸収係数をDeep Level Transient Spectroscopy(DLTS)及び光励起容量過渡応答法(O-CTS)を用いて評価した。またその値を用い欠陥準位によるキャリアの再結合と光生成を考慮したシリコン太陽電池特性の理論計算を行なった。その結果、イオン注入によるシリコン太陽電池の効率改善は困難であることがわかった。
- 2013-02-20
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