様々な加工処理を施した4H-SiC表面のキャリアライフタイム評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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SiCを用いた超高耐圧のバイポーラデバイスにおいて,キャリアライフタイムはデバイス性能を左右する重要なパラメータであり、表面再結合速度を見積もることはキャリアライフタイムを制御するために重要である.そこで本研究では,様々な加工処理を施した4H-SiCに対してキャリアライフタイム測定を行い,表面再結合速度を議論した.その結果,反応性イオンエッチング(RIE)を施すことによりキャリアライフタイムが小さくなり,RIEにより導入された点欠陥が表面再結合に影響を与える可能性があることが分かった.
- 2013-05-09
著者
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