4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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SiCデバイスの性能向上には、キャリアライフタイムの制御方法の確立が必要である。そのためには深い準位の物理的起源の理解が重要である。本研究では電子線照射を施して意図的に欠陥を導入した4H-SiCに対し、様々な温度で熱処理を加え、深い準位の評価を行った。その結果を、過去に報告のある点欠陥の熱処理温度に対する濃度推移と比較し、深い準位の欠陥構造の同定を試みた。
- 2013-05-09
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