21aEB-1 不純物ドープされた水素化アモルファスシリコン半導体のイオン照射による電気伝導度変化(21aEB 放射線物理(照射効果),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
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概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-08-24
著者
-
佐藤 真一郎
日本原子力研究開発機構
-
齋 均
産業技術総合研究所
-
今泉 充
宇宙航空研究開発機構
-
島崎 一紀
宇宙航空研究開発機構
-
大島 武
日本原子力研究開発機構
-
近藤 道雄
産業技術総合研究所
-
今泉 充
字宙航空研究開発機構
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