島崎 一紀 | 宇宙航空研究開発機構
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概要
関連著者
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島崎 一紀
宇宙航空研究開発機構
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佐藤 真一郎
日本原子力研究開発機構
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齋 均
産業技術総合研究所
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今泉 充
宇宙航空研究開発機構
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大島 武
日本原子力研究開発機構
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今泉 充
字宙航空研究開発機構
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近藤 道雄
産業技術総合研究所
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大島 武
原子力研究開発機構
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太刀川 純孝
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部
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島崎 一紀
JAXA
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島崎 一紀
字宙航空研究開発機構
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田川 雅人
神戸大学大学院 工学研究科
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太刀川 純孝
宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究所
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近彦 道雄
産業技術総合研究所
著作論文
- 25pZB-4 荷電粒子線照射による水素化アモルファスシリコンの光伝導度変化2(放射線物理(イオン-固体相互作用・放射線損傷・核反応),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 28aSK-1 荷電粒子線照射による水素化アモルファスシリコンの光伝導度変化(28aSK 放射線物理(放射線損傷・電離・イオン-表面相互作用),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 23pRH-3 水素化アモルファスシリコン半導体の放射線誘起電気伝導(23pRH 放射線物理(イオンビーム照射効果・阻止能),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25pRA-9 水素化アモルファスシリコン半導体の陽子線照射に伴うゼーベック係数変化(25pRA 放射線物理(固体との相互作用・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- (10)光学多層薄膜と金属 : 絶縁体転移材料の最適設計によるふく射熱制御の研究(研究奨励,日本機械学会賞〔2004年度(平成16年度)審査経過報告〕)
- 21aEB-1 不純物ドープされた水素化アモルファスシリコン半導体のイオン照射による電気伝導度変化(21aEB 放射線物理(照射効果),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- オーガナイズドセッション : 宇宙材料の熱物性とシステムデザイン
- 25aAB-3 自己イオン照射による水素化アモルファスシリコン薄膜の電子輸送機構変化(25aAB 放射線物理(放射線損傷・放射線計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))