25aAB-3 自己イオン照射による水素化アモルファスシリコン薄膜の電子輸送機構変化(25aAB 放射線物理(放射線損傷・放射線計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))

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概要

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• 2012-03-05

著者

• 佐藤 真一郎

  日本原子力研究開発機構

• 齋 均

  産業技術総合研究所

• 今泉 充

  宇宙航空研究開発機構

• 島崎 一紀

  宇宙航空研究開発機構

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 近彦 道雄

  産業技術総合研究所

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