SiC半導体へのイオン注入による不純物ドーピング

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概要

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• 日本表面科学会の論文
• 2000-12-10

著者

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所高崎研究所

• 伊藤 久義

  原研

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部

• 大島 武

  原研

• 大島 武

  (独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

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