3a-M-12 半導体SiC中の電子線照射欠陥
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1996-03-15
著者
-
河裾 厚男
日本原子力研究開発機構先端基礎研
-
岡田 漱平
日本原子力研究所・高崎
-
岡田 漱平
日本原子力研究所
-
伊藤 久義
日本原子力研究所高崎研究所
-
伊藤 久義
日本原子力研究所・高崎
-
伊藤 久義
日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部
-
須永 博美
日本原子力研究所 高崎研究所
-
益野 真一
日本原子力研究所高崎研究所
-
Kawasuso A.
東北大金研
-
須永 博美
日本原子力研究所高崎研究所
-
河裾 厚男
日本原子力研究所・高崎
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