6a-X-1 静電場輸送による低速陽電子ビームの発生

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1997-09-16

著者

• 岡田 漱平

  原研高崎

• 河裾 厚男

  原研高崎

• 岡田 漱平

  日本原子力研究所・高崎

• 藤森 公平

  原研高崎

• 荒井 秀幸

  原研高崎

• Kawasuso A.

  東北大金研

• 河裾 厚男

  日本原子力研究所・高崎

関連論文

• 21aHS-3 陽電子マイクロビームを用いた炭化ジルコニウム燃料被覆膜の評価(21aHS X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 全反射陽電子回折による極表面構造の解析と物性
• 15pXG-7 磁界レンズを用いた陽電子回折装置の開発(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 20pXB-5 反射高速陽電子回折・開発とその応用
• 24aYM-2 超重力場処理後の金属間化合物(Bi_3Pb_7)の陽電子寿命測定(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 13a-DK-6 Si中の電子線照射誘起欠陥の焼鈍挙動 : 陽電子寿命測定法による分析
• 1a-X-7 電子線照射によって生じたシリコン中原子複空孔の陽電子捕獲
• 25p-T-3 電子線照射したp型6H-SiCの電子スピン共鳴
• 8p-S-7 半導体SiC中の電子線照射欠陥の研究(IV)
• 28pYK-6 陽電子マイクロビームによる応力印加下ステンレス鋼の亀裂評価(X線・粒子線(陽電子),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
• 反射高速陽電子回折(RHEPD)技術の高度化と応用 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成13年度)
• 高速短パルス陽電子ビーム形成装置の開発--ビーム構造の計測と改善対策 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
• 反射高速陽電子回折(RHEPD)の開発・応用
• 反射高速陽電子回折による水素終端シリコン表面の観察 (「陽電子ビームの形成と物質科学への応用」京都大学原子炉実験所専門研究会報告(平成10年))
• 23pRH-9 高スピン偏極陽電子源の開発とスピン偏極率評価(23pRH 放射線物理(分析・計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 反射高速陽電子回折による表面研究
• 27pXC-9 静電場方式による陽電子ビーム装置の開発と評価
• 27pY-11 反射高速陽電子回折による水素終端Si(111)の解析
• 28p-Q-6 反射高速陽電子回折(RHEPD)の開発とシリコン表面研究への応用
• 28a-K-11 SiとSiCの陽電子消滅2次元角相関
• 25a-T-3 Si等における原子空孔の同時計数ドップラー広がり法による化学分析
• 陽電子利用研究の展望
• 30a-YC-10 SiCの陽電子消滅2次元角相関
• 6a-X-1 静電場輸送による低速陽電子ビームの発生
• 31a-E-8 半導体SiC中の電子線照射欠陥の研究(III)
• 陽電子消滅法によるSiGe中の電子線照射欠陥の研究(I)
• 半導体SiC中の電子線照射欠陥(II)
• 3a-M-12 半導体SiC中の電子線照射欠陥
• 2p-YC-7 中性子、電子およびレーザー照射した石英の陽電子消滅II
• 29a-YG-10 中性子、電子およびレーザ照射した石英の陽電子消滅
• Positron annihilation 2D-ACAR of perfect crystals and vacancies in Ge, Si and diamond
• CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
• CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
• 21pWA-7 陽電子マイクロビームを用いたステンレス応力腐食割れ劣化の観察(21pWA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27aRE-9 高機能型陽電子マイクロビーム装置の開発(27aRE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aRB-4 陽電子消滅法を用いたイオンビーム照射による誘起構造の研究(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 世界のポジトロンラボラトリー
• 陽電子消滅法を用いた立方晶シリコンカーバイドにおける点欠陥の評価 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
• 18pXK-5 陽電子ビームを用いた物性研究の新たな展開(シンポジウム 光・粒子ビームで観る・創る-放射線物性の新展開-,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 27pTN-3 高スピン偏極陽電子線源の開発と低速陽電子ビーム発生(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 表面分析における陽電子回折技術の開発 : 陽電子で見る物質最表面の構造
• バルク半導体中の欠陥
• 21aEB-5 H^+照射により照射欠陥及び水素同時注入したB2型FeAlの低速陽電子ビーム測定(21aEB 放射線物理(照射効果),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 21pHA-8 反射高速陽電子回折による歪み導入Sn/Ge(111)表面の構造解析(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSB-15 反射高速陽電子回折によるAg(111)薄膜表面上におけるBi原子の吸着位置の解析(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aGH-5 スピン偏極陽電子消滅による磁性材料の研究(21aGH 実験技術開発・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pEB-1 高スピン偏極低速陽電子ビームの開発と磁性体材料への応用(21pEB 放射線物理(表面・バルク),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 21aEB-4 粒子線照射したZrCuAlバルク金属ガラスの特性変化と内部構造(21aEB 放射線物理(照射効果),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 陽電子回折
• 同時計数法によるドップラー幅高精度測定
• 25aSA-4 スピン偏極陽電子消滅によるスピンホール効果の直接検出の試み(25aSA スピントロニクス(スピン流・スピンホール効果・スピン軌道相互作用),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 25pAF-14 スピン偏極陽電子消滅の基礎構築 : 希土類磁性体について(25pAF 酸化物磁性・化合物磁性・実験技術,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24aCC-2 反射高速陽電子回折を用いたPt/Ge(001)表面相転移の解析(24aCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aAB-7 高スピン偏極低速陽電子ビームによる高磁場下陽電子消滅測定(25aAB 放射線物理(放射線損傷・放射線計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 20pCC-5 スピン偏極陽電子消滅によるスピンホール効果の研究(20pCC スピントロニクス(スピン依存伝導),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 19aCC-7 スピン偏極陽電子消滅を用いたホイスラー合金Co_2MnSiの偏極率測定の試み(19aCC スピントロニクス(熱・力学的スピン・磁化制御),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 19pAJ-1 高スピン偏極陽電子源を用いた低速陽電子ビームの偏極率評価(19pAJ 放射線物理(放射線損傷・放射線計測・二次電子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 20aFF-11 反射高速陽電子回折による歪導入した半導体表面における金属吸着超構造の研究(20aFF 領域9,領域10 合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長)
• 29aXZB-6 KEK低速陽電子実験施設におけるビームライン整備と新しい測定装置(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26aXZA-1 高輝度反射高速陽電子回折装置の開発と表面研究への応用(26aXZA 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29aXZB-6 KEK低速陽電子実験施設におけるビームライン整備と新しい測定装置(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),ビーム物理領域)
• 29aXZB-3 高磁場下にある磁性体の陽電子消滅寿命測定(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),ビーム物理領域)
• 29aXZB-3 高磁場下にある磁性体の陽電子消滅寿命測定(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aJB-9 高輝度反射高速陽電子回折によるTiO_2(110)表面の構造解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aJB-1 全反射陽電子回折法による最表面原子配列の観測(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pXR-10 短パルス陽電子ビーム形成装置の製作(24pXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク