同時計数法によるドップラー幅高精度測定

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 応用物理学会,放射線分科会の論文
• 1998-07-01

著者

• 河裾 厚男

  日本原子力研究所・高崎

• 河裾 厚男

  日本原子力研究所・高崎研究所

関連論文

• 21aHS-3 陽電子マイクロビームを用いた炭化ジルコニウム燃料被覆膜の評価(21aHS X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 全反射陽電子回折による極表面構造の解析と物性
• 15pXG-7 磁界レンズを用いた陽電子回折装置の開発(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 20pXB-5 反射高速陽電子回折・開発とその応用
• 13a-DK-6 Si中の電子線照射誘起欠陥の焼鈍挙動 : 陽電子寿命測定法による分析
• 1a-X-7 電子線照射によって生じたシリコン中原子複空孔の陽電子捕獲
• 8p-S-7 半導体SiC中の電子線照射欠陥の研究(IV)
• 28pYK-6 陽電子マイクロビームによる応力印加下ステンレス鋼の亀裂評価(X線・粒子線(陽電子),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 反射高速陽電子回折(RHEPD)技術の高度化と応用 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成13年度)
• 反射高速陽電子回折(RHEPD)の開発・応用
• 反射高速陽電子回折による水素終端シリコン表面の観察 (「陽電子ビームの形成と物質科学への応用」京都大学原子炉実験所専門研究会報告(平成10年))
• 23pRH-9 高スピン偏極陽電子源の開発とスピン偏極率評価(23pRH 放射線物理(分析・計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 反射高速陽電子回折による表面研究
• 27pXC-9 静電場方式による陽電子ビーム装置の開発と評価
• 27pY-11 反射高速陽電子回折による水素終端Si(111)の解析
• 28p-Q-6 反射高速陽電子回折(RHEPD)の開発とシリコン表面研究への応用
• 28a-K-11 SiとSiCの陽電子消滅2次元角相関
• 陽電子利用研究の展望
• 30a-YC-10 SiCの陽電子消滅2次元角相関
• 6a-X-1 静電場輸送による低速陽電子ビームの発生
• 31a-E-8 半導体SiC中の電子線照射欠陥の研究(III)
• 陽電子消滅法によるSiGe中の電子線照射欠陥の研究(I)
• 半導体SiC中の電子線照射欠陥(II)
• 3a-M-12 半導体SiC中の電子線照射欠陥
• Positron annihilation 2D-ACAR of perfect crystals and vacancies in Ge, Si and diamond
• 21pWA-7 陽電子マイクロビームを用いたステンレス応力腐食割れ劣化の観察(21pWA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27aRE-9 高機能型陽電子マイクロビーム装置の開発(27aRE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aRB-4 陽電子消滅法を用いたイオンビーム照射による誘起構造の研究(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 陽電子消滅法を用いた立方晶シリコンカーバイドにおける点欠陥の評価 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
• 18pXK-5 陽電子ビームを用いた物性研究の新たな展開(シンポジウム 光・粒子ビームで観る・創る-放射線物性の新展開-,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 27pTN-3 高スピン偏極陽電子線源の開発と低速陽電子ビーム発生(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 表面分析における陽電子回折技術の開発 : 陽電子で見る物質最表面の構造
• バルク半導体中の欠陥
• 21pEB-1 高スピン偏極低速陽電子ビームの開発と磁性体材料への応用(21pEB 放射線物理(表面・バルク),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 陽電子回折
• 同時計数法によるドップラー幅高精度測定
• 25aAB-7 高スピン偏極低速陽電子ビームによる高磁場下陽電子消滅測定(25aAB 放射線物理(放射線損傷・放射線計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 19pAJ-1 高スピン偏極陽電子源を用いた低速陽電子ビームの偏極率評価(19pAJ 放射線物理(放射線損傷・放射線計測・二次電子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 29aXZB-3 高磁場下にある磁性体の陽電子消滅寿命測定(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),ビーム物理領域)
• 29aXZB-3 高磁場下にある磁性体の陽電子消滅寿命測定(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 24pXR-10 短パルス陽電子ビーム形成装置の製作(24pXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク