反射高速陽電子回折による水素終端シリコン表面の観察 (「陽電子ビームの形成と物質科学への応用」京都大学原子炉実験所専門研究会報告(平成10年))

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概要

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著者

• 岡田 漱平

  日本原子力研究所・高崎

• 一宮 彪彦

  名古屋大学

• Kawasuso A.

  東北大金研

• 河裾 厚男

  日本原子力研究所・高崎

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• 26aXZA-1 高輝度反射高速陽電子回折装置の開発と表面研究への応用(26aXZA 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29aXZB-6 KEK低速陽電子実験施設におけるビームライン整備と新しい測定装置(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),ビーム物理領域)
• Characterization of surface structure. Reflection high energy electron diffraction-Auger electron spectroscopy (RHEED-AES method).
• タイトル無し
• 27aJB-9 高輝度反射高速陽電子回折によるTiO_2(110)表面の構造解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aJB-1 全反射陽電子回折法による最表面原子配列の観測(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• その場観察技術への期待

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