27pY-11 反射高速陽電子回折による水素終端Si(111)の解析

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1999-09-03

著者

• 河裾 厚男

  日本原子力研究開発機構先端基礎研

• 一宮 彪彦

  名大工

• 一宮 彪彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 岡田 漱平

  日本原子力研究所・高崎

• 岡田 漱平

  日本原子力研究所

• 一宮 彪彦

  名古屋大学

• 一宮 彪彦

  名古屋大学工学部

• Kawasuso A.

  東北大金研

• 河裾 厚男

  日本原子力研究所・高崎

関連論文

• 21aHS-3 陽電子マイクロビームを用いた炭化ジルコニウム燃料被覆膜の評価(21aHS X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pGQ-11 反射高速陽電子回折によるモット絶縁体表面の原子配置の研究(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 全反射陽電子回折による極表面構造の解析と物性
• 15pXG-7 磁界レンズを用いた陽電子回折装置の開発(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 20pXB-5 反射高速陽電子回折・開発とその応用
• 23aYD-12 反射高速陽電子回折 (RHEPD) パターンの強度解析
• 28aTA-11 Si(100)表面上におけるSiの2次元アイランドの崩壊過程
• シリコン表面に形成されたナノ構造の安定性と崩壊
• 22pTD-4 シリコン表面上のシリコンピラミッドの崩壊過程とステップの挙動
• Si(111)表面上に孤立したシリコンナノピラミッドの崩壊過程のスケール則 : 成長界面IV
• Si(111)表面上の孤立したナノ構造の形成と崩壊 : 招待講演
• 25pT-3 Si(111)7×7表面上のSiピラミッドの崩壊過程名
• Si(111)表面上の孤立したシリコン島状結晶の緩和過程
• シリコン表面におけるピラミッドの形成と崩壊
• 24pW-10 Si表面上のアイランドの崩壊と2次元ガス状態 III
• 24aY-5 STM/RHEEDによる 6H-SiC(0001)表面の再構成の観察
• 28aRD-2 反射高速陽電子回折を用いたSn/Ge(111)表面の相転移の研究(28aRD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pXB-11 反射高速陽電子回折を用いた半導体表面上のSn原子吸着構造の低温相の研究(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pXB-10 反射高速陽電子回折におけるエネルギー損失スペクトルの測定(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSB-21 反射高速陽電子回折による貴金属吸着誘起Si(111)-√×√超構造の研究(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aTH-4 Hume-Rothery電子化合物の合金単原子層(液体・アモルファス・その他,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 25pTE-11 反射高速陽電子回折を用いたIn/Si(111)表面における金属-絶縁体転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aRJ-4 反射高速陽電子回折における非弾性散乱過程の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aXJ-2 反射高速陽電子回折におけるエネルギー損失過程の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pXJ-3 反射高速陽電子回折を用いたIn/Si(111)表面における(4×1)-(8×'2')相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pTG-8 反射高速陽電子回折によるPb/Ge(111)表面の構造と相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pTG-9 反射高速陽電子回折によるIn/Si(111)表面構造相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27pYG-10 反射高速陽電子回折を用いた金属薄膜表面における表面プラズモン励起の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 1p-D-8 半導体成長への応用 : (1)内殻電子励起によるGaAsの構造変化 : (2)X線波動場による薄膜成長制御
• 29p-J-12 Si(001)上のTiの吸着反応 : STMによる活性化エネルギーの決定
• 5p-Q-8 STMによる(001)のTiの吸着構造と反応
• 28p-PSB-20 Si(001)-2x1上のTiの初期成長過程のSTM観察
• 22aXJ-10 酸化によるSiC(0001)-3×3と√×√-R30°表面構造の変化(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 28pYK-6 陽電子マイクロビームによる応力印加下ステンレス鋼の亀裂評価(X線・粒子線(陽電子),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28aRD-1 Si(111)√×√-(Au,Ag)構造の相転移(28aRD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aPS-26 STM による SiC 表面のグラファイト構造の観察
• 25p-Y-2 Si(111)√×√-Ag 表面における√×√(Au, Ag)構造の揺動
• 30a-ZD-2 Si(111)への金属蒸着のRHEED強度II
• 27p-R-7 Si(111)への金属蒸着のRHEED強度
• 27a-PS-61 サーファクタントエピタキシにおける表面拡散過程
• 5a-PS-30 多価イオン衝撃による金属表面からの二次電子放出III
• 31a-T-12 多価イオン衝撃による金属表面からの二次電子放出II
• 5a-W-8 多価イオン衝撃による金属表面からの二次電子放出
• 24p-R-3 Si(111)7x7表面におけるSiの成長過程
• 26aWS-8 Si表面√×√相の擬ポテンシャルモデルによるエネルギーの安定性と位相シフトの考察(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pRH-9 高スピン偏極陽電子源の開発とスピン偏極率評価(23pRH 放射線物理(分析・計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 23aYD-7 Ga/Si(113) ナノファセットのアニールによる形態変化
• 19pPSB-42 微傾斜したSi(113)面上のGa吸着構造の研究
• 27aXE-6 Ga吸着した高指数Si表面の研究IV
• 25aWB-6 Ga吸着したSi(113)上のナノファセット構造の研究
• 22pT-1 Ga吸着した高指数Si表面の研究 III
• 26aPS-25 Ga吸着した高指数Si表面の研究II
• 29a-PS-6 Ga吸着した高指数Si表面の研究I
• 27pPSA-22 Ag/Si(111)√×√表面の低温構造の解析II(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 23aYD-9 Ag/Si (111) √×√ 表面の低温構造の解析
• 23aYD-8 Sb を吸着した Si(113) 表面再構成構造の研究
• 20pYD-13 Si ナノピラミッドの Si 蒸着による緩和過程
• 20aPS-30 AES と RHEED ロッキング曲線による 6H-SiC(0001) (√3×√3)-R30°と 3×3 表面の酸化初期過程の研究
• 逆スパッタ表面処理による絶縁膜-半導体界面近傍の格子歪(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 逆スパッタ表面処理による絶縁膜-半導体界面近傍の格子歪(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 逆スパッタ表面処理による絶縁膜-半導体界面近傍の格子歪(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 反射高速陽電子回折による表面研究
• 28pPSB-17 エネルギ分解反射高速電子回折の研究 III
• GaAs(001)(2×4)表面上のホモエピタキシャル成長初期状態
• 電子回析(II)
• 結晶・薄膜の構造および表面分析法 : 電子回折 (I)
• 表面科学シンポジウム2001 (3'01)
• 20aRH-2 エネルギ分解反射高速電子回折の研究II
• 19pRH-4 Si(100)表面上におけるSiナノ構造の崩壊過程
• 21pTG-7 エネルギーフィルター型反射高速陽電子回折装置の開発(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYH-6 反射高速陽電子回折によるSn吸着Ge(111)表面の3×3-√×√相転移の研究(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aYH-5 反射高速陽電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pPSB-24 反射高速陽電子回折によるSi(111)-√×√-Ag表面構造相転移の研究II(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 17pWD-4 SiC(0001)(√×√)-R30゜表面の多波条件RHEEDロッキング曲線による研究
• 30aXE-1 6H-SiC(0001) 3×3再構成表面のRHEEDロッキング曲線による研究
• 25aWB-12 SiC(0001)√×√再構成表面のRHEEDロッキング曲線による研究
• 22pT-10 SiC(0001)表面のRHEEDロッキング曲線による研究
• 31p-S-9 rfイオントラップ中における異種イオン間の協同振動 II
• 30p-TA-2 アルカリ吸着したSi(111)表面からの電子衝撃脱離
• 4p-ZG-2 R.F.イオントラップ中における異種イオン間の協同振動
• 6a-C4-10 多価イオンと固体表面との相互作用
• 5a-B4-2 半導体表面からの電子衝撃脱離II
• 29a-O-6 アルカリハライドからのイオン脱離 V
• 27p-D-2 アルカリハライドからのイオン脱離 III
• 3a-Q-4 FI-STMによるGaAs(001)-(2x4)-y表面構造
• 31p-WB-4 FI-STMと動力学RHEED解析によるGaAs(001)-(2x4)/c(4x4)表面構造
• X線反射率による磁性流体表面の観察
• 27pXC-9 静電場方式による陽電子ビーム装置の開発と評価
• 27pY-11 反射高速陽電子回折による水素終端Si(111)の解析
• 28p-Q-6 反射高速陽電子回折(RHEPD)の開発とシリコン表面研究への応用
• 陽電子利用研究の展望
• 陽電子消滅法によるSiGe中の電子線照射欠陥の研究(I)
• 半導体SiC中の電子線照射欠陥(II)
• 3a-M-12 半導体SiC中の電子線照射欠陥
• 21pWA-7 陽電子マイクロビームを用いたステンレス応力腐食割れ劣化の観察(21pWA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27aRE-9 高機能型陽電子マイクロビーム装置の開発(27aRE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aRB-4 陽電子消滅法を用いたイオンビーム照射による誘起構造の研究(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 18pXK-5 陽電子ビームを用いた物性研究の新たな展開(シンポジウム 光・粒子ビームで観る・創る-放射線物性の新展開-,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 25aAB-7 高スピン偏極低速陽電子ビームによる高磁場下陽電子消滅測定(25aAB 放射線物理(放射線損傷・放射線計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 19pAJ-1 高スピン偏極陽電子源を用いた低速陽電子ビームの偏極率評価(19pAJ 放射線物理(放射線損傷・放射線計測・二次電子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク