河裾 厚男 | 日本原子力研究所・高崎
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概要
関連著者
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河裾 厚男
日本原子力研究所・高崎
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Kawasuso A.
東北大金研
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河裾 厚男
日本原子力研究開発機構先端基礎研
-
岡田 漱平
日本原子力研究所・高崎
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前川 雅樹
日本原子力研究開発機構先端基礎研
-
河裾 厚男
日本原子力研究開発機構
-
前川 雅樹
日本原子力研究開発機構 先端基礎研
-
河裾 厚男
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター
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前川 雅樹
原研 高崎研
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前川 雅樹
日本原子力研究所高崎研究所
-
前川 雅樹
原子力機構・先端基礎研
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河裾 厚男
原子力機構・先端基礎研
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深谷 有喜
日本原子力研究所先端基礎研究センター
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一宮 彪彦
名古屋大学大学院工学研究科
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岡田 漱平
日本原子力研究所
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前川 雅樹
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター
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岡田 漱平
原研高崎
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伊藤 久義
日本原子力研究所・高崎
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薮内 敦
阪大工
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長谷川 雅幸
東北大金研
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河裾 厚男
東北大・金研
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伊藤 久義
日本原子力研究所高崎研究所
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一宮 彪彦
名古屋大学
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深谷 有喜
原子力機構先端基礎研
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河裾 厚男
原子力機構先端基礎研
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一宮 彪彦
原子力機構先端基礎研
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一宮 彪彦
名大工
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河裾 厚男
原研高崎
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伊藤 久義
日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部
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林 和彦
原研先端基礎研
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伊藤 久義
原研高崎研
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藪内 敦
日本原子力研究開発機構先端基礎研
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千葉 利信
東北大学金属材料研究所
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唐 政
東北大金研
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末澤 正志
東北大金研
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千葉 利信
無機材研
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林 和彦
日本原子力研究所先端基礎研究センター
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石本 貴幸
原研先端研
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山口 貞衛
千葉工業大学工学部
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山口 貞衛
東北大金研
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藪内 敦
原子力機構・先端基礎研
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伊藤 久義
原研高崎
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望月 出海
原子力機構先端基礎研
-
望月 出海
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター
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須永 博美
日本原子力研究所高崎研究所
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薮内 敦
日本原子力研究開発機構先端基礎研
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深谷 有喜
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研究センター
-
望月 出海
日本原子力研究開発機構先端基礎研
-
末沢 正志
東北大金研
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角野 浩二
東北大金研
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赤羽 隆史
無機材研
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赤羽 隆史
Nims物質研
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赤羽 隆史
物質・材料研究機構
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赤羽 隆史
無機材質研究所
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一宮 彪彦
日本原子力研究所先端基礎研究センター
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石本 貴幸
日本原子力研究所先端基礎研究センター
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伊藤 久義
原子力機構
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角野 浩二
新日鐵・技術開発
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河裾 厚男
東北大金研
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須永 博美
原研高崎
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大島 武
原子力研究開発機構
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一宮 彪彦
名古屋大学工学部
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河裾 厚男
日本原子力研究所高崎研究所
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米永 一郎
東北大金研
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森下 憲雄
原研高崎研
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川添 良幸
東北大金研
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相原 純
日本原子力研究開発機構原子力基礎工
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長谷川 雅幸
東北大学金属材料研究所
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梨山 勇
原研高崎
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吉川 正人
日本原子力研究所
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一宮 彪彦
日本女子大学理学部
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奥村 元
電総研
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吉田 貞史
電総研
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本田 達也
東北大金研
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森下 憲雄
原子力研究開発機構
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森下 憲雄
原研高崎
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吉川 正人
原研高崎
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奥村 元
産業技術総合研究所
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相原 純
日本原子力研究所核熱利用研究部
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吉田 貞史
埼玉大学工学部
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斉藤 峯雄
Necシステムズ
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梨山 勇
高信頼性部品(株)
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奥村 元
産業技術総合研
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須永 博美
日本原子力研究所 高崎研究所
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李 志強
東北大学金属材料研究所
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藤森 公平
原研高崎
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荒井 秀幸
原研高崎
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河裾 厚男
原研・高崎
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伊藤 久義
原研・高崎
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大島 武
原研・高崎
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安部 功二
原研・高崎
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岡田 漱平
原研・高崎
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益野 真一
日本原子力研究所高崎研究所
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斉藤 峯雄
NEC情報システムズ
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李 志強
東北大金研
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平出 哲也
日本原子力研究開発機構原子力基礎工
-
三輪 幸雄
日本原子力研究開発機構原子力基礎工
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Tap Tran
日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター
-
河裾 厚男
日本原子力研究所高崎研究所材料開発部技術開発課
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平出 哲也
日本原子力研究所 物質科学研究部
-
望月 出海
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研究センター
-
河裾 厚男
日本原子力研究所・高崎研究所
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深谷 有喜
日本原子力研究開発機構先端基礎研
-
張 宏俊
日本原子力研究開発機構先端基礎研
-
河裾 厚男
日本原子力研究開発機構 先端基礎研
著作論文
- 21aHS-3 陽電子マイクロビームを用いた炭化ジルコニウム燃料被覆膜の評価(21aHS X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 全反射陽電子回折による極表面構造の解析と物性
- 15pXG-7 磁界レンズを用いた陽電子回折装置の開発(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 20pXB-5 反射高速陽電子回折・開発とその応用
- 13a-DK-6 Si中の電子線照射誘起欠陥の焼鈍挙動 : 陽電子寿命測定法による分析
- 1a-X-7 電子線照射によって生じたシリコン中原子複空孔の陽電子捕獲
- 8p-S-7 半導体SiC中の電子線照射欠陥の研究(IV)
- 28pYK-6 陽電子マイクロビームによる応力印加下ステンレス鋼の亀裂評価(X線・粒子線(陽電子),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 反射高速陽電子回折(RHEPD)技術の高度化と応用 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成13年度)
- 反射高速陽電子回折(RHEPD)の開発・応用
- 反射高速陽電子回折による水素終端シリコン表面の観察 (「陽電子ビームの形成と物質科学への応用」京都大学原子炉実験所専門研究会報告(平成10年))
- 23pRH-9 高スピン偏極陽電子源の開発とスピン偏極率評価(23pRH 放射線物理(分析・計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 反射高速陽電子回折による表面研究
- 27pXC-9 静電場方式による陽電子ビーム装置の開発と評価
- 27pY-11 反射高速陽電子回折による水素終端Si(111)の解析
- 28p-Q-6 反射高速陽電子回折(RHEPD)の開発とシリコン表面研究への応用
- 28a-K-11 SiとSiCの陽電子消滅2次元角相関
- 陽電子利用研究の展望
- 30a-YC-10 SiCの陽電子消滅2次元角相関
- 6a-X-1 静電場輸送による低速陽電子ビームの発生
- 31a-E-8 半導体SiC中の電子線照射欠陥の研究(III)
- 陽電子消滅法によるSiGe中の電子線照射欠陥の研究(I)
- 半導体SiC中の電子線照射欠陥(II)
- 3a-M-12 半導体SiC中の電子線照射欠陥
- Positron annihilation 2D-ACAR of perfect crystals and vacancies in Ge, Si and diamond
- 21pWA-7 陽電子マイクロビームを用いたステンレス応力腐食割れ劣化の観察(21pWA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27aRE-9 高機能型陽電子マイクロビーム装置の開発(27aRE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aRB-4 陽電子消滅法を用いたイオンビーム照射による誘起構造の研究(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 陽電子消滅法を用いた立方晶シリコンカーバイドにおける点欠陥の評価 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
- 18pXK-5 陽電子ビームを用いた物性研究の新たな展開(シンポジウム 光・粒子ビームで観る・創る-放射線物性の新展開-,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 27pTN-3 高スピン偏極陽電子線源の開発と低速陽電子ビーム発生(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 表面分析における陽電子回折技術の開発 : 陽電子で見る物質最表面の構造
- バルク半導体中の欠陥
- 21pEB-1 高スピン偏極低速陽電子ビームの開発と磁性体材料への応用(21pEB 放射線物理(表面・バルク),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 陽電子回折
- 同時計数法によるドップラー幅高精度測定
- 25aAB-7 高スピン偏極低速陽電子ビームによる高磁場下陽電子消滅測定(25aAB 放射線物理(放射線損傷・放射線計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 19pAJ-1 高スピン偏極陽電子源を用いた低速陽電子ビームの偏極率評価(19pAJ 放射線物理(放射線損傷・放射線計測・二次電子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 29aXZB-3 高磁場下にある磁性体の陽電子消滅寿命測定(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),ビーム物理領域)
- 29aXZB-3 高磁場下にある磁性体の陽電子消滅寿命測定(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24pXR-10 短パルス陽電子ビーム形成装置の製作(24pXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))