29aXZB-3 高磁場下にある磁性体の陽電子消滅寿命測定(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),ビーム物理領域)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 2013-03-26
著者
-
前川 雅樹
日本原子力研究開発機構先端基礎研
-
前川 雅樹
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター
-
河裾 厚男
日本原子力研究所・高崎
-
前川 雅樹
原研 高崎研
-
前川 雅樹
日本原子力研究開発機構 先端基礎研
-
河裾 厚男
日本原子力研究開発機構 先端基礎研
-
前川 雅樹
日本原子力研究所高崎研究所
関連論文
- 21aHS-3 陽電子マイクロビームを用いた炭化ジルコニウム燃料被覆膜の評価(21aHS X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aRB-7 融点直下シリコンの陽電子消滅測定(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 全反射陽電子回折による極表面構造の解析と物性
- 15pXG-7 磁界レンズを用いた陽電子回折装置の開発(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 20pXB-5 反射高速陽電子回折・開発とその応用
- 24aYM-2 超重力場処理後の金属間化合物(Bi_3Pb_7)の陽電子寿命測定(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 13a-DK-6 Si中の電子線照射誘起欠陥の焼鈍挙動 : 陽電子寿命測定法による分析
- 1a-X-7 電子線照射によって生じたシリコン中原子複空孔の陽電子捕獲
- 8p-S-7 半導体SiC中の電子線照射欠陥の研究(IV)
- 原子力機構における陽電子マイクロビームの生成・利用
- 28pYK-6 陽電子マイクロビームによる応力印加下ステンレス鋼の亀裂評価(X線・粒子線(陽電子),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 30aXD-7 陽電子消滅法によるSi中不純物ゲッタリング挙動の研究(30aXD X線,粒子線(陽電子消滅),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 反射高速陽電子回折(RHEPD)技術の高度化と応用 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成13年度)
- 反射高速陽電子回折(RHEPD)の開発・応用
- 反射高速陽電子回折による水素終端シリコン表面の観察 (「陽電子ビームの形成と物質科学への応用」京都大学原子炉実験所専門研究会報告(平成10年))
- 23pWL-3 スピン偏極陽電子と磁性電子の対消滅過程(23pWL 実験技術・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23pRH-9 高スピン偏極陽電子源の開発とスピン偏極率評価(23pRH 放射線物理(分析・計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 反射高速陽電子回折による表面研究
- 27pXC-9 静電場方式による陽電子ビーム装置の開発と評価
- 27pY-11 反射高速陽電子回折による水素終端Si(111)の解析
- 28p-Q-6 反射高速陽電子回折(RHEPD)の開発とシリコン表面研究への応用
- 28a-K-11 SiとSiCの陽電子消滅2次元角相関
- 陽電子利用研究の展望
- 30a-YC-10 SiCの陽電子消滅2次元角相関
- 6a-X-1 静電場輸送による低速陽電子ビームの発生
- 31a-E-8 半導体SiC中の電子線照射欠陥の研究(III)
- 陽電子消滅法によるSiGe中の電子線照射欠陥の研究(I)
- 半導体SiC中の電子線照射欠陥(II)
- 3a-M-12 半導体SiC中の電子線照射欠陥
- Positron annihilation 2D-ACAR of perfect crystals and vacancies in Ge, Si and diamond
- 21pWA-7 陽電子マイクロビームを用いたステンレス応力腐食割れ劣化の観察(21pWA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pYF-12 酸化亜鉛中の電子線照射欠陥の同定(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25pYK-8 高濃度ドープしたSiにおける熱平衡原子空孔の高温その場観測(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 27aRE-9 高機能型陽電子マイクロビーム装置の開発(27aRE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aRB-4 陽電子消滅法を用いたイオンビーム照射による誘起構造の研究(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 陽電子消滅法による材料評価 (特集 放射線利用研究の最前線--放射線の新たな利用手法の開発)
- 陽電子消滅法を用いた立方晶シリコンカーバイドにおける点欠陥の評価 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
- 18pXK-5 陽電子ビームを用いた物性研究の新たな展開(シンポジウム 光・粒子ビームで観る・創る-放射線物性の新展開-,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 26aHE-2 スピン偏極陽電子消滅による磁性材料の研究について(26aHE 磁性一般・測定技術開発・フラストレーション系,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27pTN-3 高スピン偏極陽電子線源の開発と低速陽電子ビーム発生(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 表面分析における陽電子回折技術の開発 : 陽電子で見る物質最表面の構造
- バルク半導体中の欠陥
- 21aEB-5 H^+照射により照射欠陥及び水素同時注入したB2型FeAlの低速陽電子ビーム測定(21aEB 放射線物理(照射効果),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 21aGH-5 スピン偏極陽電子消滅による磁性材料の研究(21aGH 実験技術開発・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pEB-1 高スピン偏極低速陽電子ビームの開発と磁性体材料への応用(21pEB 放射線物理(表面・バルク),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 21aEB-4 粒子線照射したZrCuAlバルク金属ガラスの特性変化と内部構造(21aEB 放射線物理(照射効果),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 陽電子回折
- 同時計数法によるドップラー幅高精度測定
- 25aSA-4 スピン偏極陽電子消滅によるスピンホール効果の直接検出の試み(25aSA スピントロニクス(スピン流・スピンホール効果・スピン軌道相互作用),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25pAF-14 スピン偏極陽電子消滅の基礎構築 : 希土類磁性体について(25pAF 酸化物磁性・化合物磁性・実験技術,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25aAB-7 高スピン偏極低速陽電子ビームによる高磁場下陽電子消滅測定(25aAB 放射線物理(放射線損傷・放射線計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 20pCC-5 スピン偏極陽電子消滅によるスピンホール効果の研究(20pCC スピントロニクス(スピン依存伝導),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19aCC-7 スピン偏極陽電子消滅を用いたホイスラー合金Co_2MnSiの偏極率測定の試み(19aCC スピントロニクス(熱・力学的スピン・磁化制御),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19pAJ-1 高スピン偏極陽電子源を用いた低速陽電子ビームの偏極率評価(19pAJ 放射線物理(放射線損傷・放射線計測・二次電子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 29aXZB-6 KEK低速陽電子実験施設におけるビームライン整備と新しい測定装置(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26aXZA-1 高輝度反射高速陽電子回折装置の開発と表面研究への応用(26aXZA 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29aXZB-6 KEK低速陽電子実験施設におけるビームライン整備と新しい測定装置(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),ビーム物理領域)
- 29aXZB-3 高磁場下にある磁性体の陽電子消滅寿命測定(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),ビーム物理領域)
- 29aXZB-3 高磁場下にある磁性体の陽電子消滅寿命測定(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26aKE-1 強磁性体の陽電子消滅寿命の外部磁場依存性(X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aJB-9 高輝度反射高速陽電子回折によるTiO_2(110)表面の構造解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aJB-1 全反射陽電子回折法による最表面原子配列の観測(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pXR-10 短パルス陽電子ビーム形成装置の製作(24pXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))