21aRB-4 陽電子消滅法を用いたイオンビーム照射による誘起構造の研究(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2008-08-25

著者

• 前川 雅樹

  日本原子力研究開発機構先端基礎研

• 河裾 厚男

  日本原子力研究開発機構先端基礎研

• 河裾 厚男

  (独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター

• 前川 雅樹

  原子力機構・先端基礎研

• 河裾 厚男

  原子力機構・先端基礎研

• 河裾 厚男

  日本原子力研究開発機構

• Tap Tran

  日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター

• 河裾 厚男

  日本原子力研究所・高崎

• 前川 雅樹

  原研 高崎研

• 前川 雅樹

  日本原子力研究開発機構 先端基礎研

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