26aXZA-1 高輝度反射高速陽電子回折装置の開発と表面研究への応用(26aXZA 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2013-03-26
著者
-
前川 雅樹
日本原子力研究開発機構先端基礎研
-
河裾 厚男
原子力機構先端基礎研
-
前川 雅樹
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター
-
河裾 厚男
東北大・金研
-
前川 雅樹
原子力機構・先端基礎研
-
望月 出海
原子力機構先端基礎研
-
望月 出海
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター
-
Kawasuso A.
東北大金研
-
河裾 厚男
日本原子力研究開発機構
-
河裾 厚男
原子力機構 先端基礎研
-
前川 雅樹
原研 高崎研
-
深谷 有喜
原子力機構・先端基礎研センター
-
兵頭 俊夫
高エネ研物構研
-
望月 出海
高エネ研物構研
-
和田 健
高エネ研物構研
-
前川 雅樹
日本原子力研究所高崎研究所
関連論文
- 21aHS-3 陽電子マイクロビームを用いた炭化ジルコニウム燃料被覆膜の評価(21aHS X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-11 反射高速陽電子回折によるモット絶縁体表面の原子配置の研究(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 原子力機構における陽電子マイクロビームの生成・利用 (特集 放射線を応用した分析技術)
- 27aRB-7 融点直下シリコンの陽電子消滅測定(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pRE-4 高エネルギーイオン照射によって誘起されたFe-Rh合金における微細磁気構造(放射線物理(固体内衝突・損傷過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 15pXG-7 磁界レンズを用いた陽電子回折装置の開発(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 20pXB-5 反射高速陽電子回折・開発とその応用
- 23aYD-13 反射高速陽電子回折の視射角依存性による最表面構造の研究
- 23aYD-12 反射高速陽電子回折 (RHEPD) パターンの強度解析
- 28aRD-2 反射高速陽電子回折を用いたSn/Ge(111)表面の相転移の研究(28aRD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXB-11 反射高速陽電子回折を用いた半導体表面上のSn原子吸着構造の低温相の研究(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXB-10 反射高速陽電子回折におけるエネルギー損失スペクトルの測定(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSB-21 反射高速陽電子回折による貴金属吸着誘起Si(111)-√×√超構造の研究(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aTH-4 Hume-Rothery電子化合物の合金単原子層(液体・アモルファス・その他,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 25pTE-11 反射高速陽電子回折を用いたIn/Si(111)表面における金属-絶縁体転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aRJ-4 反射高速陽電子回折における非弾性散乱過程の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aXJ-2 反射高速陽電子回折におけるエネルギー損失過程の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXJ-3 反射高速陽電子回折を用いたIn/Si(111)表面における(4×1)-(8×'2')相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pTG-8 反射高速陽電子回折によるPb/Ge(111)表面の構造と相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pTG-9 反射高速陽電子回折によるIn/Si(111)表面構造相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXJ-3 反射高速陽電子回折を用いたIn/Si(111)表面における(4×1)-(8×'2')相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pYG-10 反射高速陽電子回折を用いた金属薄膜表面における表面プラズモン励起の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aYM-2 超重力場処理後の金属間化合物(Bi_3Pb_7)の陽電子寿命測定(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 12aWH-13 遷移金属・フラーレン混合物質の物質形成機構(フラーレン, 領域 7)
- 28p-P-4 FZ_Siにおける電子線照射欠陥の回復機構
- 14a-A-5 電子線照射により原子複空孔を導入したSiの陽電子消滅2次元角相関
- 13a-DK-6 Si中の電子線照射誘起欠陥の焼鈍挙動 : 陽電子寿命測定法による分析
- 13a-DK-4 Si中の複原子空孔に起因する赤外吸収
- 1a-X-7 電子線照射によって生じたシリコン中原子複空孔の陽電子捕獲
- 8p-S-7 半導体SiC中の電子線照射欠陥の研究(IV)
- 原子力機構における陽電子マイクロビームの生成・利用
- 21pXJ-3 反射高速陽電子回折を用いたIn/Si(111)表面における(4×1)-(8×'2')相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXJ-3 反射高速陽電子回折を用いたIn/Si(111)表面における(4×1)-(8×'2')相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28pYK-6 陽電子マイクロビームによる応力印加下ステンレス鋼の亀裂評価(X線・粒子線(陽電子),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 30aXD-7 陽電子消滅法によるSi中不純物ゲッタリング挙動の研究(30aXD X線,粒子線(陽電子消滅),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 小型PHEPD装置の開発 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成14年度)
- 高速短パルス陽電子ビーム形成装置のパルス化技術の改善 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成13年度)
- 反射高速陽電子回折(RHEPD)技術の高度化と応用 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成13年度)
- 反射高速陽電子回折(RHEPD)の開発・応用
- 反射高速陽電子回折による水素終端シリコン表面の観察 (「陽電子ビームの形成と物質科学への応用」京都大学原子炉実験所専門研究会報告(平成10年))
- 23aWS-5 反射高速陽電子回折によるアルカリ金属吸着Si(111)-√×√-B表面の相転移の研究(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWS-6 反射高速陽電子回折によるPt/Ge(001)表面の一次元原子鎖の構造解析(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pWL-3 スピン偏極陽電子と磁性電子の対消滅過程(23pWL 実験技術・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23pRH-9 高スピン偏極陽電子源の開発とスピン偏極率評価(23pRH 放射線物理(分析・計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 21pTG-7 エネルギーフィルター型反射高速陽電子回折装置の開発(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aYH-6 反射高速陽電子回折によるSn吸着Ge(111)表面の3×3-√×√相転移の研究(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aYH-5 反射高速陽電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pPSB-24 反射高速陽電子回折によるSi(111)-√×√-Ag表面構造相転移の研究II(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pXC-9 静電場方式による陽電子ビーム装置の開発と評価
- 27pY-11 反射高速陽電子回折による水素終端Si(111)の解析
- 28p-Q-6 反射高速陽電子回折(RHEPD)の開発とシリコン表面研究への応用
- 28a-K-11 SiとSiCの陽電子消滅2次元角相関
- 陽電子利用研究の展望
- 30a-YC-10 SiCの陽電子消滅2次元角相関
- 6a-X-1 静電場輸送による低速陽電子ビームの発生
- 31a-E-8 半導体SiC中の電子線照射欠陥の研究(III)
- 21pWA-7 陽電子マイクロビームを用いたステンレス応力腐食割れ劣化の観察(21pWA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pYF-12 酸化亜鉛中の電子線照射欠陥の同定(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 27p-H-8 Si中の複原子空孔の陽電子消滅法を用いた研究
- 27a-ZN-4 塑性変形した半導体の陽電子消滅
- 28a-K-10 陽電子消滅法によるSi中の複原子空孔の研究
- 25pYK-8 高濃度ドープしたSiにおける熱平衡原子空孔の高温その場観測(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 27aRE-9 高機能型陽電子マイクロビーム装置の開発(27aRE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aRB-4 陽電子消滅法を用いたイオンビーム照射による誘起構造の研究(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 30aRD-3 歪みによるSi/Ge(111)-√×√-Ag表面の電子状態の変化(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aTD-3 Ge/Si(111)-5×5-DAS表面上のAg吸着構造の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-11 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態と光電子分光(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30pYB-2 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXF-7 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aXC-4 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と温度変化(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 陽電子消滅法による材料評価 (特集 放射線利用研究の最前線--放射線の新たな利用手法の開発)
- 30aPS-32 反射高速陽電子回折によるSi(111)-√×√-Ag表面構造解析II(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aHE-2 スピン偏極陽電子消滅による磁性材料の研究について(26aHE 磁性一般・測定技術開発・フラストレーション系,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25pTG-8 反射高速陽電子回折によるPt/Ge(001)表面相転移に伴う構造変化の解析(25pTG 表面界面構造(半導体・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pTN-3 高スピン偏極陽電子線源の開発と低速陽電子ビーム発生(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- バルク半導体中の欠陥
- 21aEB-5 H^+照射により照射欠陥及び水素同時注入したB2型FeAlの低速陽電子ビーム測定(21aEB 放射線物理(照射効果),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 21pHA-8 反射高速陽電子回折による歪み導入Sn/Ge(111)表面の構造解析(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSB-15 反射高速陽電子回折によるAg(111)薄膜表面上におけるBi原子の吸着位置の解析(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aGH-5 スピン偏極陽電子消滅による磁性材料の研究(21aGH 実験技術開発・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pEB-1 高スピン偏極低速陽電子ビームの開発と磁性体材料への応用(21pEB 放射線物理(表面・バルク),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 21aEB-4 粒子線照射したZrCuAlバルク金属ガラスの特性変化と内部構造(21aEB 放射線物理(照射効果),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aSA-4 スピン偏極陽電子消滅によるスピンホール効果の直接検出の試み(25aSA スピントロニクス(スピン流・スピンホール効果・スピン軌道相互作用),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25pAF-14 スピン偏極陽電子消滅の基礎構築 : 希土類磁性体について(25pAF 酸化物磁性・化合物磁性・実験技術,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aCC-2 反射高速陽電子回折を用いたPt/Ge(001)表面相転移の解析(24aCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aAB-7 高スピン偏極低速陽電子ビームによる高磁場下陽電子消滅測定(25aAB 放射線物理(放射線損傷・放射線計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 20pCC-5 スピン偏極陽電子消滅によるスピンホール効果の研究(20pCC スピントロニクス(スピン依存伝導),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19aCC-7 スピン偏極陽電子消滅を用いたホイスラー合金Co_2MnSiの偏極率測定の試み(19aCC スピントロニクス(熱・力学的スピン・磁化制御),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19pAJ-1 高スピン偏極陽電子源を用いた低速陽電子ビームの偏極率評価(19pAJ 放射線物理(放射線損傷・放射線計測・二次電子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 20aFF-11 反射高速陽電子回折による歪導入した半導体表面における金属吸着超構造の研究(20aFF 領域9,領域10 合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 29aXZB-6 KEK低速陽電子実験施設におけるビームライン整備と新しい測定装置(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26aXZA-1 高輝度反射高速陽電子回折装置の開発と表面研究への応用(26aXZA 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aXK-9 Pt/Ge(001)表面の一次元金属的な電子状態(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29aXZB-6 KEK低速陽電子実験施設におけるビームライン整備と新しい測定装置(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),ビーム物理領域)
- 29aXZB-3 高磁場下にある磁性体の陽電子消滅寿命測定(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),ビーム物理領域)
- 29aXZB-3 高磁場下にある磁性体の陽電子消滅寿命測定(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26aKE-1 強磁性体の陽電子消滅寿命の外部磁場依存性(X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pJA-7 一次元原子鎖Pt/Ge(001)のスピン偏極した擬一次元金属電子状態と構造相転移(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aJB-9 高輝度反射高速陽電子回折によるTiO_2(110)表面の構造解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aJB-1 全反射陽電子回折法による最表面原子配列の観測(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))