30aRD-3 歪みによるSi/Ge(111)-√<3>×√<3>-Ag表面の電子状態の変化(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2009-03-03
著者
-
望月 出海
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター
-
重田 諭吉
横浜市大 大学院総合理学研究科
-
重田 諭吉
横浜市立大学
-
重田 諭吉
横浜市立大学大学院総合理学研究科
-
望月 出海
横浜市大院国際総合
-
根岸 良太
横浜市大院国際総合
-
重田 諭吉
横浜市大院国際総合
-
望月 出海
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研究センター
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