重田 諭吉 | 横浜市立大学

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概要

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関連著者

• 重田 諭吉

  横浜市立大学

• 重田 諭吉

  横浜市大 大学院総合理学研究科

• 重田 諭吉

  横浜市立大学大学院総合理学研究科

• 根岸 良太

  横浜市大院国際総合

• 重田 諭吉

  横浜市立大学文理学部

• 重田 諭吉

  横浜市大総合理

• 根岸 良太

  横浜市大総合理

• 鈴木 雅彦

  大阪電通大

• 望月 出海

  (独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター

• 望月 出海

  (独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研究センター

• 鈴木 雅彦

  横浜市大総合理

• 望月 出海

  横浜市大院国際総合

• 重田 諭吉

  横浜市大院国際総合

• 望月 出海

  横浜市大総合理

• 小川 恵一

  横浜市大総合理

• 深谷 有喜

  横浜市立大学大学院総合理学研究科

• 重田 諭吉

  横浜市大理

• 根岸 良太

  院総合理

• 星野 政陽

  横浜市大

• 荒川 一郎

  学習院大学大学院自然科学研究科

• 山崎 尚

  電気通信大学電子物性工学科物性工学講座

• 山崎 尚

  電気通信大学・一般教育・物理学

• 赤石 憲也

  核融合研

• 赤石 憲也

  核融合科学研究所

• 松田 七美男

  東京電機大学工学部物理系列

• 松田 七美男

  東京電機大学工学部環境物質化学科

• 尾高 憲二

  日立製作所機械研究所

• 堀洋 一郎

  高エネルギー物理学研究所

• 尾高 憲二

  (株)日立製作所機械研究所

• 根岸 良太

  横浜市立大学大学院 国際総合科学研究科 ナノ科学専攻

• 鈴木 雅彦

  横浜市立大学大学院 国際総合科学研究科 ナノ科学専攻

• 根岸 良太

  横浜市大学大学院総合理

• 鈴木 雅彦

  横浜市大学大学院総合理

• 重田 諭吉

  横浜市大学大学院総合理

• 荒川 一郎

  学習院大

• 三井 裕

  横浜市立大学大学院総合理学研究科

• 舘田 潤

  横浜市立大学総合理

• 星野 政陽

  横浜市大総合理

• 星野 政陽

  横市大 総合理

• 重田 諭吉

  横市大 総合理

• 小川 恵一

  横市大 総合理

• 松井 敦央

  横浜市立大学大学院総合理学研究科

• 松田 七美男

  東京電機大学大学院工学研究科物質工学専攻

• 荒川 一郎

  学習院大学・理学部・物理教室

• 松田 七美男

  東京電機大学

• 赤石 憲也

  核融合科学研

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著作論文

• 第12回真空国際会議・第8回固体表面国際会議報告
• シリコンおよびゲルマニュームナノアイランドの微細構造と局所電子状態
• 22aXF-10 Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪と局所電子状態II(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aXC-3 Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪と局所電子状態(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-69 Si(111) 表面上の Ge ナノアイランドに特有な局所電子状態(領域 9)
• 30aWP-4 Si(111)表面上のGeナノアイランドの電子状態(ナノ構造量子物性)(領域9)
• 20aPS-57 Si(111) 表面上の Ge ナノアイランドの形成過程 II
• 31pZF-4 Si(111) 基板上に自己形成した Si ナノ構造に対する表面電子状態の光電子分光測定
• 高温領域におけるSi(111)表面の構造変化 : 反射型高速電子線回折(RHEED)による研究
• 磁場による視射角偏向機能を備えた反射型高速電子線回折(RHEED)装置の試作と動的構造変化への応用
• 横浜市立大学大学院 生命ナノシステム科学研究科 ナノシステム科学専攻 表面科学研究室
• 30aRD-3 歪みによるSi/Ge(111)-√×√-Ag表面の電子状態の変化(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aTD-3 Ge/Si(111)-5×5-DAS表面上のAg吸着構造の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-11 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態と光電子分光(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30pYB-2 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXF-7 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aXC-4 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と温度変化(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 28pPSB-13 走査型トンネル分光法による局所状態密度の解析
• 28pYQ-12 Si(111)表面上に自己形成したSiナノクラスターの構造と局所電子状態
• 23aT-11 低温エピタキシーにおける特有な表面構造に起因した表面ラフニング
• 表面構造のエピタキシャル成長におよぼす影響 -Si(111)-7×7表面上のSiホモエピタキシャル成長を例に-
• 15a-DJ-11 Si(111)表面の7x7形成過程と欠陥構造II-STM観察
• 1a-H-13 Si(111)表面の7x7形成過程と欠陥構造 : STM観察
• 30aPS-43 二探針STMの作製およびその性能評価(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 高速ビームロッキング法による反射高速電子線回折強度の測定とその応用

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