根岸 良太 | 横浜市大院国際総合
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概要
関連著者
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根岸 良太
横浜市大院国際総合
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重田 諭吉
横浜市大 大学院総合理学研究科
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重田 諭吉
横浜市立大学
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重田 諭吉
横浜市立大学大学院総合理学研究科
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根岸 良太
横浜市大総合理
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重田 諭吉
横浜市大総合理
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鈴木 雅彦
大阪電通大
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望月 出海
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター
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望月 出海
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研究センター
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鈴木 雅彦
横浜市大総合理
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望月 出海
横浜市大院国際総合
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重田 諭吉
横浜市大院国際総合
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望月 出海
横浜市大総合理
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根岸 良太
横浜市大学大学院総合理
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重田 諭吉
横浜市大理
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根岸 良太
院総合理
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重田 論吉
横浜市大学大学院総合理
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重田 諭吉
横浜市立大学文理学部
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根岸 良太
横浜市立大学大学院 国際総合科学研究科 ナノ科学専攻
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鈴木 雅彦
横浜市立大学大学院 国際総合科学研究科 ナノ科学専攻
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鈴木 雅彦
横浜市大学大学院総合理
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重田 諭吉
横浜市大学大学院総合理
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重田 論吉
横浜市大理
著作論文
- シリコンおよびゲルマニュームナノアイランドの微細構造と局所電子状態
- 22aXF-10 Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪と局所電子状態II(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aXC-3 Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪と局所電子状態(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-69 Si(111) 表面上の Ge ナノアイランドに特有な局所電子状態(領域 9)
- 30aWP-4 Si(111)表面上のGeナノアイランドの電子状態(ナノ構造量子物性)(領域9)
- 20aPS-57 Si(111) 表面上の Ge ナノアイランドの形成過程 II
- 31pZF-4 Si(111) 基板上に自己形成した Si ナノ構造に対する表面電子状態の光電子分光測定
- 30aRD-3 歪みによるSi/Ge(111)-√×√-Ag表面の電子状態の変化(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aTD-3 Ge/Si(111)-5×5-DAS表面上のAg吸着構造の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-11 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態と光電子分光(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30pYB-2 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXF-7 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aXC-4 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と温度変化(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 28pYQ-12 Si(111)表面上に自己形成したSiナノクラスターの構造と局所電子状態
- 23aT-11 低温エピタキシーにおける特有な表面構造に起因した表面ラフニング
- 19pPSB-56 Si(111)表面上に自己形成したSiナノクラスターの構造と局所電子状態II
- 25pWB-8 低温エピタキシーにおける特有な表面構造に起因した表面ラフニングII