重田 諭吉 | 横浜市大総合理
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概要
関連著者
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重田 諭吉
横浜市大総合理
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重田 諭吉
横浜市大 大学院総合理学研究科
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重田 諭吉
横浜市立大学
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根岸 良太
横浜市大総合理
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横浜市大総合理:横浜市大理
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横浜市大総合理
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横浜市大
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馬来 国弼
横浜市立大文理
著作論文
- 22aXF-10 Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪と局所電子状態II(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aXC-3 Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪と局所電子状態(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-69 Si(111) 表面上の Ge ナノアイランドに特有な局所電子状態(領域 9)
- 30aWP-4 Si(111)表面上のGeナノアイランドの電子状態(ナノ構造量子物性)(領域9)
- 20aPS-57 Si(111) 表面上の Ge ナノアイランドの形成過程 II
- 29pPSA-42 Si(111)面上のGeナノクラスターのマジック数と安定性
- 30aXE-5 擬似1次元収束ビームによるRHEEDロッキングカーブの高速測定
- 23aT-4 Si(111)7×7-1×1相転移温度以上の表面構造変化
- 30p-S-7 Si/Si(111)-7×7の初期成長に見られる層構造の安定性
- 28p-PSB-13 磁場偏向型RHEEDロッキングカーブ測定装置の試作
- 14a-DH-3 Si/Si(111)低温エピタキシー膜の表面構造変化
- 30pYB-2 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXF-7 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aXC-4 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と温度変化(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15a-DJ-11 Si(111)表面の7x7形成過程と欠陥構造II-STM観察
- 24aPS-61 Si(111)表面上の一様なGeナノクラスターの形成
- 26pWD-10 Si(111)表面上のGeナノアイランドの形成過程(26pWD クラスター・表面ナノ構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))