重田 諭吉 | 横浜市立大学大学院総合理学研究科
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概要
関連著者
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重田 諭吉
横浜市大 大学院総合理学研究科
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重田 諭吉
横浜市立大学大学院総合理学研究科
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(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター
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横浜市立大学大学院総合理学研究科
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横浜市立大学総合理
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松井 敦央
横浜市立大学大学院総合理学研究科
著作論文
- シリコンおよびゲルマニュームナノアイランドの微細構造と局所電子状態
- 22aXF-10 Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪と局所電子状態II(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aXC-3 Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪と局所電子状態(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-69 Si(111) 表面上の Ge ナノアイランドに特有な局所電子状態(領域 9)
- 30aWP-4 Si(111)表面上のGeナノアイランドの電子状態(ナノ構造量子物性)(領域9)
- 20aPS-57 Si(111) 表面上の Ge ナノアイランドの形成過程 II
- 31pZF-4 Si(111) 基板上に自己形成した Si ナノ構造に対する表面電子状態の光電子分光測定
- 高温領域におけるSi(111)表面の構造変化 : 反射型高速電子線回折(RHEED)による研究
- 横浜市立大学大学院 生命ナノシステム科学研究科 ナノシステム科学専攻 表面科学研究室
- 30aRD-3 歪みによるSi/Ge(111)-√×√-Ag表面の電子状態の変化(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aTD-3 Ge/Si(111)-5×5-DAS表面上のAg吸着構造の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-11 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態と光電子分光(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30pYB-2 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXF-7 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aXC-4 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と温度変化(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 28pPSB-13 走査型トンネル分光法による局所状態密度の解析
- 30aPS-43 二探針STMの作製およびその性能評価(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 高速ビームロッキング法による反射高速電子線回折強度の測定とその応用
- 二次元ナノアイランドの形成と局所電子状態
- 結晶表面ナノ構造における物性 (特集欄 ナノテクノロジーにおけるものづくり) -- (真空中で作製するナノ構造)