望月 出海 | (独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研究センター

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• 重田 諭吉

  横浜市大 大学院総合理学研究科

• 重田 諭吉

  横浜市立大学

• 重田 諭吉

  横浜市立大学大学院総合理学研究科

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  横浜市大院国際総合

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著作論文

• 23aWS-6 反射高速陽電子回折によるPt/Ge(001)表面の一次元原子鎖の構造解析(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pWL-3 スピン偏極陽電子と磁性電子の対消滅過程(23pWL 実験技術・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 30aRD-3 歪みによるSi/Ge(111)-√×√-Ag表面の電子状態の変化(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aTD-3 Ge/Si(111)-5×5-DAS表面上のAg吸着構造の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-11 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態と光電子分光(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30pYB-2 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXF-7 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aXC-4 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と温度変化(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 26aHE-2 スピン偏極陽電子消滅による磁性材料の研究について(26aHE 磁性一般・測定技術開発・フラストレーション系,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 25pTG-8 反射高速陽電子回折によるPt/Ge(001)表面相転移に伴う構造変化の解析(25pTG 表面界面構造(半導体・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pHA-8 反射高速陽電子回折による歪み導入Sn/Ge(111)表面の構造解析(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSB-15 反射高速陽電子回折によるAg(111)薄膜表面上におけるBi原子の吸着位置の解析(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aGH-5 スピン偏極陽電子消滅による磁性材料の研究(21aGH 実験技術開発・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pEB-1 高スピン偏極低速陽電子ビームの開発と磁性体材料への応用(21pEB 放射線物理(表面・バルク),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25pAF-14 スピン偏極陽電子消滅の基礎構築 : 希土類磁性体について(25pAF 酸化物磁性・化合物磁性・実験技術,領域3(磁性,磁気共鳴))

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