根岸 良太 | 横浜市大総合理

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概要

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関連著者

• 根岸 良太

  横浜市大総合理

• 重田 諭吉

  横浜市大総合理

• 重田 諭吉

  横浜市大 大学院総合理学研究科

• 重田 諭吉

  横浜市立大学

• 重田 諭吉

  横浜市立大学大学院総合理学研究科

• 根岸 良太

  横浜市大院国際総合

• 鈴木 雅彦

  大阪電通大

• 鈴木 雅彦

  横浜市大総合理

• 望月 出海

  (独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター

• 望月 出海

  横浜市大総合理

• 望月 出海

  (独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研究センター

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著作論文

• 22aXF-10 Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪と局所電子状態II(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aXC-3 Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪と局所電子状態(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-69 Si(111) 表面上の Ge ナノアイランドに特有な局所電子状態(領域 9)
• 30aWP-4 Si(111)表面上のGeナノアイランドの電子状態(ナノ構造量子物性)(領域9)
• 20aPS-57 Si(111) 表面上の Ge ナノアイランドの形成過程 II
• 30pYB-2 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXF-7 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aXC-4 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と温度変化(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))

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