二次元ナノアイランドの形成と局所電子状態
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
シリコンおよびゲルマニュームナノアイランドの微細構造と局所電子状態
-
22aXF-10 Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪と局所電子状態II(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
25aXC-3 Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪と局所電子状態(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
15aPS-69 Si(111) 表面上の Ge ナノアイランドに特有な局所電子状態(領域 9)
-
30aWP-4 Si(111)表面上のGeナノアイランドの電子状態(ナノ構造量子物性)(領域9)
-
20aPS-57 Si(111) 表面上の Ge ナノアイランドの形成過程 II
-
31pZF-4 Si(111) 基板上に自己形成した Si ナノ構造に対する表面電子状態の光電子分光測定
-
高温領域におけるSi(111)表面の構造変化 : 反射型高速電子線回折(RHEED)による研究
-
30aXE-5 擬似1次元収束ビームによるRHEEDロッキングカーブの高速測定
-
28pTA-4 高温Si(111)1×1表面における表面原子の熱振動の異常増大
-
磁場による視射角偏向機能を備えた反射型高速電子線回折(RHEED)装置の試作と動的構造変化への応用
-
23aT-4 Si(111)7×7-1×1相転移温度以上の表面構造変化
-
30p-S-7 Si/Si(111)-7×7の初期成長に見られる層構造の安定性
-
28p-YM-4 Si(111)-7×7表面上のホモエピタキシャル成長中の構造変化
-
29a-PS-3 Si(111)-7×7表面上の準安定islandの形成
-
3a-K-1 MBE成長中のRHEEDロッキングカーブのその場測定
-
Si(lll)-7×7超格子表面上に成長するSi層の核形成過程 : 薄膜成長I
-
31p-S-2 Si/Si(111)低温エピタキシー膜の初期構造形成III : RHEED・STMによる観察
-
28p-PSB-13 磁場偏向型RHEEDロッキングカーブ測定装置の試作
-
5a-Q-5 Si/Si(111)低温エピタキシー膜の初期構造形成II : RHEED/STMによる観察
-
Si(111)-7x7表面上のSi低温エピタキシャル成長の初期過程 : RHEED・STMによる観察 : 気相成長IV
-
ホモエピタキシャル成長表面のモルフォロジ-と成長機構 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (成長表面と界面構造)
-
14a-DH-3 Si/Si(111)低温エピタキシー膜の表面構造変化
-
Si(111)-7×7表面上のSi膜の低温エピタキシャル成長 : エピタキシャル層のアモルファス化
-
27a-ZF-13 Si(111)表面上のSi低温エピタキシー薄膜のLEED
-
29p-BPS-33 Si(111)表面上のSi薄膜のLEEDと近赤外反射スペクトル
-
25p-PS-53 Si(111)超格子表面上のSi薄膜の表面構造形成 II : 成長条件と表面構造
-
横浜市立大学大学院 生命ナノシステム科学研究科 ナノシステム科学専攻 表面科学研究室
-
30aRD-3 歪みによるSi/Ge(111)-√×√-Ag表面の電子状態の変化(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
26aTD-3 Ge/Si(111)-5×5-DAS表面上のAg吸着構造の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
20aPS-11 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態と光電子分光(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
30pYB-2 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
22aXF-7 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
25aXC-4 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と温度変化(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
28pPSB-13 走査型トンネル分光法による局所状態密度の解析
-
28pYQ-12 Si(111)表面上に自己形成したSiナノクラスターの構造と局所電子状態
-
23aT-11 低温エピタキシーにおける特有な表面構造に起因した表面ラフニング
-
表面構造のエピタキシャル成長におよぼす影響 -Si(111)-7×7表面上のSiホモエピタキシャル成長を例に-
-
15a-DJ-11 Si(111)表面の7x7形成過程と欠陥構造II-STM観察
-
30aPS-43 二探針STMの作製およびその性能評価(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
-
高速ビームロッキング法による反射高速電子線回折強度の測定とその応用
-
二次元ナノアイランドの形成と局所電子状態
-
反射型高速電子線回折(RHEED)法の動的表面構造変化への応用
-
結晶表面ナノ構造における物性 (特集欄 ナノテクノロジーにおけるものづくり) -- (真空中で作製するナノ構造)
-
Si固相エピタキシーにおける構造形成 : エピタキシーI
-
7a-N-7 金属極薄膜の低エネルギー電子分光 (II)膜の電子顕微鏡観察との比較
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク