28pYQ-12 Si(111)表面上に自己形成したSiナノクラスターの構造と局所電子状態

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2001-03-09

著者

• 重田 諭吉

  横浜市大 大学院総合理学研究科

• 重田 諭吉

  横浜市大理

• 重田 諭吉

  横浜市立大学

• 根岸 良太

  横浜市大院国際総合

• 根岸 良太

  院総合理

関連論文

• 第12回真空国際会議・第8回固体表面国際会議報告
• シリコンおよびゲルマニュームナノアイランドの微細構造と局所電子状態
• 22aXF-10 Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪と局所電子状態II(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aXC-3 Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪と局所電子状態(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-69 Si(111) 表面上の Ge ナノアイランドに特有な局所電子状態(領域 9)
• 30aWP-4 Si(111)表面上のGeナノアイランドの電子状態(ナノ構造量子物性)(領域9)
• 20aPS-57 Si(111) 表面上の Ge ナノアイランドの形成過程 II
• 31pZF-4 Si(111) 基板上に自己形成した Si ナノ構造に対する表面電子状態の光電子分光測定
• 高温領域におけるSi(111)表面の構造変化 : 反射型高速電子線回折(RHEED)による研究
• 30aXE-5 擬似1次元収束ビームによるRHEEDロッキングカーブの高速測定
• 28pTA-4 高温Si(111)1×1表面における表面原子の熱振動の異常増大
• 磁場による視射角偏向機能を備えた反射型高速電子線回折(RHEED)装置の試作と動的構造変化への応用
• 23aT-4 Si(111)7×7-1×1相転移温度以上の表面構造変化
• 30p-S-7 Si/Si(111)-7×7の初期成長に見られる層構造の安定性
• 28p-YM-4 Si(111)-7×7表面上のホモエピタキシャル成長中の構造変化
• 29a-PS-3 Si(111)-7×7表面上の準安定islandの形成
• 3a-K-1 MBE成長中のRHEEDロッキングカーブのその場測定
• Si(lll)-7×7超格子表面上に成長するSi層の核形成過程 : 薄膜成長I
• 31p-S-2 Si/Si(111)低温エピタキシー膜の初期構造形成III : RHEED・STMによる観察
• 28p-PSB-13 磁場偏向型RHEEDロッキングカーブ測定装置の試作
• 5a-Q-5 Si/Si(111)低温エピタキシー膜の初期構造形成II : RHEED/STMによる観察
• Si(111)-7x7表面上のSi低温エピタキシャル成長の初期過程 : RHEED・STMによる観察 : 気相成長IV
• ホモエピタキシャル成長表面のモルフォロジ-と成長機構 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (成長表面と界面構造)
• 14a-DH-3 Si/Si(111)低温エピタキシー膜の表面構造変化
• Si(111)-7×7表面上のSi膜の低温エピタキシャル成長 : エピタキシャル層のアモルファス化
• 27a-ZF-13 Si(111)表面上のSi低温エピタキシー薄膜のLEED
• 29p-BPS-33 Si(111)表面上のSi薄膜のLEEDと近赤外反射スペクトル
• 25p-PS-53 Si(111)超格子表面上のSi薄膜の表面構造形成 II : 成長条件と表面構造
• 横浜市立大学大学院 生命ナノシステム科学研究科 ナノシステム科学専攻 表面科学研究室
• 30aRD-3 歪みによるSi/Ge(111)-√×√-Ag表面の電子状態の変化(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aTD-3 Ge/Si(111)-5×5-DAS表面上のAg吸着構造の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-11 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態と光電子分光(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30pYB-2 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXF-7 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aXC-4 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と温度変化(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 28pPSB-13 走査型トンネル分光法による局所状態密度の解析
• 28pYQ-12 Si(111)表面上に自己形成したSiナノクラスターの構造と局所電子状態
• 23aT-11 低温エピタキシーにおける特有な表面構造に起因した表面ラフニング
• 表面構造のエピタキシャル成長におよぼす影響 -Si(111)-7×7表面上のSiホモエピタキシャル成長を例に-
• 15a-DJ-11 Si(111)表面の7x7形成過程と欠陥構造II-STM観察
• 1a-H-13 Si(111)表面の7x7形成過程と欠陥構造 : STM観察
• 30aPS-43 二探針STMの作製およびその性能評価(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 高速ビームロッキング法による反射高速電子線回折強度の測定とその応用
• 二次元ナノアイランドの形成と局所電子状態
• 反射型高速電子線回折(RHEED)法の動的表面構造変化への応用
• 結晶表面ナノ構造における物性 (特集欄 ナノテクノロジーにおけるものづくり) -- (真空中で作製するナノ構造)
• 19pPSB-56 Si(111)表面上に自己形成したSiナノクラスターの構造と局所電子状態II
• 25pWB-8 低温エピタキシーにおける特有な表面構造に起因した表面ラフニングII
• Si固相エピタキシーにおける構造形成 : エピタキシーI
• 7a-N-7 金属極薄膜の低エネルギー電子分光 (II)膜の電子顕微鏡観察との比較
• 29a-R-3 シンクロトロン放射光を用いたビスマスクラスターBi_n(n≦4)の光イオン化(29aR 原子・分子)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク