8p-S-7 半導体SiC中の電子線照射欠陥の研究(IV)
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1997-09-16
著者
-
森下 憲雄
原研高崎研
-
伊藤 久義
原研高崎研
-
梨山 勇
原研高崎
-
吉川 正人
日本原子力研究所
-
伊藤 久義
原子力機構
-
奥村 元
電総研
-
吉田 貞史
電総研
-
岡田 漱平
原研高崎
-
森下 憲雄
原子力研究開発機構
-
森下 憲雄
原研高崎
-
河裾 厚男
原研高崎
-
吉川 正人
原研高崎
-
岡田 漱平
日本原子力研究所・高崎
-
奥村 元
産業技術総合研究所
-
伊藤 久義
原研高崎
-
吉田 貞史
埼玉大学工学部
-
梨山 勇
高信頼性部品(株)
-
奥村 元
産業技術総合研
-
Kawasuso A.
東北大金研
-
河裾 厚男
日本原子力研究所・高崎
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