宇宙用半導体素子・材料 (イオンビ-ムによる放射線高度利用研究--TIARAにおける研究利用の現状と成果を中心に<特集>) -- (研究利用の現状と今後の計画)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 25aYL-12 イオン注入法により作成した金属中の玉葱状炭素集合体の構造
- 25p-T-3 電子線照射したp型6H-SiCの電子スピン共鳴
- 8p-S-7 半導体SiC中の電子線照射欠陥の研究(IV)
- 宇宙用半導体素子・材料 (イオンビ-ムによる放射線高度利用研究--TIARAにおける研究利用の現状と成果を中心に) -- (研究利用の現状と今後の計画)
- 酸化物高温超伝導体の放射線照射効果 (一般共同研究・一般協力研究) -- (放射線とイオンビームによる物質構造の研究と改質・合成)
- 窒化物ワイドバンドギャップ半導体の耐放射線性 (特集:ワイドギャップ窒化物半導体)