吉田 貞史 | 埼玉大学工学部
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概要
関連著者
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吉田 貞史
埼玉大学工学部
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奥村 元
産業技術総合研究所
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土方 泰斗
埼玉大学工学部
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奥村 元
産業技術総合研
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吉川 正人
日本原子力研究所
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伊藤 久義
原研高崎
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奥村 元
埼玉大学
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伊藤 久義
原子力機構
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伊藤 久義
日本原子力研究所高崎研究所
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伊藤 久義
日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部
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梨山 勇
高信頼性部品(株)
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石田 夕起
産業技術総合研究所
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大島 武
日本原子力研究開発機構
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森下 憲雄
原研高崎研
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伊藤 久義
原研高崎研
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土田 秀一
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
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梨山 勇
原研高崎
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土田 秀一
電力中央研究所
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小林 直人
電総研
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奥村 元
電総研
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吉田 貞史
電総研
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岡田 漱平
原研高崎
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森下 憲雄
原子力研究開発機構
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森下 憲雄
原研高崎
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大島 武
原子力研究開発機構
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河裾 厚男
原研高崎
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吉川 正人
原研高崎
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岡田 漱平
日本原子力研究所・高崎
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奥村 元
電子技術総合研究所
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大西 一功
日本大学理工学部電子情報工学科
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高橋 芳浩
日本大学理工学部
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伊藤 久義
原研
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梨山 勇
日本原子力研究所高崎研究所
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高橋 芳宏
日本大学電子工学科
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大西 一功
日本大学電子工学科
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高橋 芳浩
日本原子力研究開発機構:日本大学
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直本 保
電力中央研究所
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高橋 徹夫
産業技術総合研究所
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Kawasuso A.
東北大金研
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河裾 厚男
日本原子力研究所・高崎
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吉田 貞史
ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集編集委員会
著作論文
- RF-MBE法を用いた六方晶および立方晶InNのエピタキシャル成長
- 分光偏光解析等によるSiC酸化膜の評価
- 分光偏光解析等によるSiC酸化膜の評価
- 8p-S-7 半導体SiC中の電子線照射欠陥の研究(IV)
- 炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 原子力エレクトロニクスの新展開 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
- 炭化ケイ素基板上に成長させた1200℃ドライ酸化膜中の界面欠陥の電気特性とその熱アニーリング効果(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- 分光偏光解析等によるSiC酸化膜の評価
- 窒化物半導体の分子線エピタキシャル成長
- 窒化物半導体の電子デバイス応用の現状と課題 (特集:ワイドギャップ窒化物半導体)
- ワイドギャップ窒化物半導体エレクトロニクス材料の研究 (特集:ワイドギャップ窒化物半導体)
- SiC素子実用化に向けた研究の現状と将来展望
- IUBSTA Electronic Materials and Processing分野の研究動向
- 第7回SiC・III族窒化物及び関連物質に関する国際会議ICSC III-N'97及び, 第2回窒化物半導体に関する国際会議ICNS'97