大島 武 | 原子力研究開発機構
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概要
関連著者
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大島 武
原子力研究開発機構
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大島 武
日本原子力研究開発機構
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伊藤 久義
日本原子力研究所高崎研究所
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大島 武
(独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
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伊藤 久義
日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部
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大島 武
原研
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若原 昭浩
豊橋技術科学大学
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伊藤 久義
原研
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若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
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大嶋 武
原研高崎
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吉田 明
豊橋技術科学大学工学部
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吉田 明
豊橋技科大
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吉田 明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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吉田 明
豊橋技術科学大学
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伊藤 久義
原子力機構
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吉田 明
神奈川県立がんセンター乳腺甲状腺外科:甲状腺未分化癌コンソーシアム
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大島 武
原研高崎
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若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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岡田 浩
豊橋技術科学大学
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中西 康夫
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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中西 康夫
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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佐藤 真一郎
日本原子力研究開発機構
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小野田 忍
原子力研究開発機構
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小野田 忍
日本原子力研究開発機構
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小野田 忍
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究所
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松浦 秀治
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
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野尻 琢慎
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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柳澤 英樹
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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松浦 秀治
大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻
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松浦 秀治
大阪電気通信大学
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齋 均
産業技術総合研究所
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今泉 充
宇宙航空研究開発機構
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島崎 一紀
宇宙航空研究開発機構
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岡田 漱平
日本原子力研究所・高崎
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西野 公三
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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大島 武
独立行政法人日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
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今泉 充
字宙航空研究開発機構
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松浦 秀治
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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近藤 道雄
産業技術総合研究所
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岩見 基弘
岡山大理
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岩見 基弘
岡大物理
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畑山 智亮
奈良先端科学技術大学院大学
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吉川 正人
日本原子力研究所
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加藤 正史
名古屋工業大学
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市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
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岡田 漱平
日本原子力研究所
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古川 雄三
豊橋技術科学大学 工学研究科
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藤田 尚樹
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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李 海錫
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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伊藤 久義
原研高崎
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平尾 敏雄
日本原子力研究開発機構
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平尾 敏雄
日本原子力研究開発機構:日本大学
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松下 由憲
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
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近藤 正樹
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
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秦 貴幸
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
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田中 礼三郎
岡大物理
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山本 鉄隆
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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田中 徹
豊橋技術科学大学 工学部
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李 海錫
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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古川 雄三
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
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古川 雄三
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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田中 徹
(株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所
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山本 鉄隆
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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平尾 敏雄
日本原子力研究所 高崎研究所
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藤田 尚樹
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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近藤 正樹
豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学
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秦 貴幸
豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学
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市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
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岡田 浩
豊橋技術科学大学 工学部
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市村 正也
名古屋工業大学
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伊藤 久義
原研高崎研
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大井 暁彦
産総研
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高橋 芳浩
日本大学理工学部
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本川 和之
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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梨山 勇
日本原子力研究所高崎研究所
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高橋 芳宏
日本大学電子工学科
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高橋 芳浩
日本原子力研究開発機構:日本大学
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中野 逸夫
岡大物理
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木下 明将
産総研
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Kawasuso A.
東北大金研
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本川 和之
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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河裾 厚男
日本原子力研究所・高崎
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平尾 敏雄
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
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角谷 均
住友電工
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上殿 明良
筑波大数理
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上殿 明良
筑波大学電子物理工学系
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中野 逸夫
岡山大自然科学
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岩見 基弘
岡山大学理学部界面科学研究室
-
岩見 基弘
岡山大自然
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木下 明将
岡山大学理学部
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木下 明将
岡山大学 理
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岩見 基弘
岡山大学 理
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齋藤 宏文
宇宙航空研究開発機構
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黒田 能克
三菱重工業
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谷口 尚
物材機構
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宮崎 尚
防衛大機能材料
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福田 盛介
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部(JAXA
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海野 義信
高エ研
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寺田 進
高エ研
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新藤 浩之
宇宙航空研究開発機構
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守本 純
防衛大機能材料
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戸田 耕司
東京都市大機械システム
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池上 陽一
高エ研
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中野 逸夫
岡山大学
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神谷 富裕
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
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森下 憲雄
原子力研究開発機構
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磯谷 順一
筑波大図情メディア
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花屋 博明
原子力研究開発機構
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渡邊 賢司
物材機構
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神田 久生
物材機構
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池田 博一
株式会社クボタ開発センター
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田中 保宣
産業技術総合研究所
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守本 純
防衛大材料
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奥村 元
産業技術総合研究所
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奥村 元
電子技術総合研究所
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久保山 智司
宇宙開発事業団
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松田 純夫
宇宙開発事業団
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根本 規生
宇宙開発事業団
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斎藤 宏文
宇宙研
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大西 一功
日本大学理工学部電子情報工学科
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池田 博一
総合研究大学院大学
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久保山 智司
宇宙航空研究開発機構
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黒田 能克
三菱重工業株式会社
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福田 盛介
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部
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吉田 貞史
埼玉大学工学部
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牧野 高紘
総合研究大学院大学
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柳川 善光
東京大学大学院
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小林 大輔
総合研究大学院大学
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廣瀬 和之
総合研究大学院大学
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齋藤 宏文
東京大学大学院
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高橋 大輔
三菱重工業株式会社
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石井 茂
三菱重工業株式会社
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草野 将樹
三菱重工業株式会社
-
池淵 博
三菱重工業株式会社
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池田 博一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部
-
梨山 勇
高信頼性部品(株)
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新藤 浩之
宇宙開発事業団
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磯谷 順一
筑波大図情
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大西 一功
日本大学電子工学科
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斎藤 宏文
宇宙航空研究開発機構
-
奥村 元
産業技術総合研
-
府金 賢
日本原子力研究開発機構
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横山 拓郎
岡大物理
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福島
高工研
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海野 義信
高工研
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寺田 進
高工研
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池上 陽一
高工研
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乗松 健治
岡山大自然
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田中 礼三郎
岡山大自然
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大井 暁彦
岡山大自然
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中野 逸夫
岡山大学大学院 自然科学研究科
-
田中 礼三郎
岡山大学大学院 自然科学研究科
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明神 善子
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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小林 健一
岡山大学
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大井 暁彦
日本原子力研究所
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福島 靖孝
高エ研
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谷口 尚
物材研
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松田 純夫
宇宙航空研究開発機構総合技術研究本部
-
谷口 尚
物質・材料研究機構 物質研究所
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谷口 尚
物質・材料研究機構
-
谷口 尚
(独)物質・材料研究機構ナノスケール物質萌芽ラボ 超高圧グループ
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池田 博一
総合研究大学院大学:宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部
-
小林 大輔
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部
-
大島 武
原子力機構
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齋藤 宏文
宇宙研
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河裾 厚男
原研・高崎
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伊藤 久義
原研・高崎
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大島 武
原研・高崎
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安部 功二
原研・高崎
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岡田 漱平
原研・高崎
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谷口 尚
NIMS
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福田 盛介
Institute Of Space And Astronautical Science Jaxa
-
谷口 尚
物質・材料研究機構 超高圧グループ
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宮崎 尚
防衛大材料
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小野田 忍
原子力機構量子ビーム
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鹿瀬 和之
総合研究大学院大学:宇宙科学研究本部
-
石井 茂
三菱重工株式会社
-
松田 純夫
宇宙開発事業団技術研究部
-
戸田 耕司
東京都市大機シス
-
島崎 一紀
字宙航空研究開発機構
-
神谷 富裕
日本原子力研究所
-
府金 賢
日本原子力研究開発機構:日本大学
-
平尾 敏雄
原研
-
高橋 大輔
三菱重工業株式会社名古屋誘導推進システム製作所
-
新井 学
新日本無線(株)
-
福田 盛介
宇宙航空研究開発機構
-
谷口 尚
物質・材料研究機構 先端材料プロセスユニット 超高圧グループ
-
中野 逸夫
岡山大自然
-
小野日 忍
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
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村田 耕司
大阪電気通信大学
-
森根 達也
大阪電気通信大学
著作論文
- 25pZB-4 荷電粒子線照射による水素化アモルファスシリコンの光伝導度変化2(放射線物理(イオン-固体相互作用・放射線損傷・核反応),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 28aSK-1 荷電粒子線照射による水素化アモルファスシリコンの光伝導度変化(28aSK 放射線物理(放射線損傷・電離・イオン-表面相互作用),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- イオン注入及び注入後熱処理した3C-SiC中の残留欠陥の研究 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
- 21aHT-5 ダイヤモンドのNVセンターの高濃度作成とスピン緩和(21aHT 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
- 宇宙用論理LSIで発生する放射線誘起スパイクノイズの研究(宇宙応用シンポジウム-観測・通信衛星の軌道上評価と将来衛星搭載機器開発-)
- 炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- C-10-6 MOS構造デバイスにおける重イオン照射誘起電流(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 24pZB-7 SiC半導体検出器の分光感度測定(半導体検出器,素粒子論)
- GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- 25pXA-11 SiC半導体粒子検出器の研究・開発
- SiC半導体へのイオン注入による不純物ドーピング
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- 高温イオン注入により導入した6H-SiC中のリン不純物の電気的活性化率と残留欠陥の関係 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- 電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度減少について(シリコン関連材料の作製と評価)
- 200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 : ドープ量依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化(シリコン関連材料の作製と評価)
- 30pZA-5 SiC半導体粒子検出器の研究・開発(半導体検出器)(素粒子実験)
- 31a-E-8 半導体SiC中の電子線照射欠陥の研究(III)
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- 六方晶炭化珪素半導体MOS構造のγ線照射効果 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
- 23pRH-3 水素化アモルファスシリコン半導体の放射線誘起電気伝導(23pRH 放射線物理(イオンビーム照射効果・阻止能),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 2E-9 電子線照射LiNbO_3単結晶基板の評価(超音波物性,フォノン物理,光超音波エレクトロニクス&非線形,強力超音波,ソノケミストリー)
- 民生用大容量メモリのシングルイベントアップセット耐性評価
- 陽電子消滅法を用いた立方晶シリコンカーバイドにおける点欠陥の評価 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
- 第7回宇宙用半導体素子放射線影響国際ワークショップ(7thRASEDA)の紹介
- 25pRA-9 水素化アモルファスシリコン半導体の陽子線照射に伴うゼーベック係数変化(25pRA 放射線物理(固体との相互作用・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 電子線照射によって生じるC変位による Al-doped 4H-SiC エピ膜中のアクセプタ密度減少について
- 耐放射線性の炭化ケイ素半導体デバイスの開発
- 200kev電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化(シリコン関連材料の作製と評価)
- 電子線照射によるSiCの正孔の各種散乱機構の変化(シリコン関連材料の作製と評価)