大島 武 | 独立行政法人日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
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概要
関連著者
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松浦 秀治
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
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大島 武
原子力研究開発機構
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野尻 琢慎
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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柳澤 英樹
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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大島 武
独立行政法人日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
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大島 武
日本原子力研究開発機構
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大嶋 武
原研高崎
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西野 公三
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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松浦 秀治
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻
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松浦 秀治
大阪電気通信大学
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大島 武
原研高崎
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明神 善子
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
著作論文
- 電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度減少について(シリコン関連材料の作製と評価)
- 200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 : ドープ量依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化(シリコン関連材料の作製と評価)
- 電子線照射によって生じるC変位による Al-doped 4H-SiC エピ膜中のアクセプタ密度減少について