野尻 琢慎 | 大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻

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概要

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• 同名の論文著者
• 大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻の論文著者

関連著者

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学工学部電気電子工学科

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 野尻 琢慎

  大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻

• 柳澤 英樹

  大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 大嶋 武

  原研高崎

• 西野 公三

  大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻

• 大島 武

  独立行政法人日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学

• 大島 武

  原研高崎

• 小野田 忍

  原子力研究開発機構

• 小野田 忍

  日本原子力研究開発機構

• 明神 善子

  大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻

• 小野田 忍

  日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究所

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著作論文

• 電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度減少について(シリコン関連材料の作製と評価)
• 200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 : ドープ量依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
• 電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化(シリコン関連材料の作製と評価)
• 電子線照射によって生じるC変位による Al-doped 4H-SiC エピ膜中のアクセプタ密度減少について
• 200kev電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化(シリコン関連材料の作製と評価)

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