200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 : ドープ量依存性(シリコン関連材料の作製と評価)

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概要

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• SiC中のC原子のみを変位させる200keVの電子線照射が,Al-doped 4H-SiCとN-doped 4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度に及ぼす影響について検討した.Al-doped 4H-SiCの場合,2種類のアクセプタ密度の照射量依存性が異なることを明らかにした.一方,N-doped 4H-SiCの場合,cubicサイトのNドナーはhexagonalサイトのNドナーより耐放射線性に強いことがわかった.

• 2009-11-27

著者

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学工学部電気電子工学科

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 大島 武

  原研高崎

• 大嶋 武

  原研高崎

• 野尻 琢慎

  大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻

• 柳澤 英樹

  大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻

• 西野 公三

  大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻

• 大島 武

  独立行政法人日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学

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