電子線照射によるSiCの正孔の各種散乱機構の変化(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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Si (Silicon) に比べ,放射線耐性及び絶縁破壊電界が大きいSiC (Silicon Carbide) は,次世代パワーデバイスとして注目されている.しかし,半導体デバイスの設計には詳細な物性パラメータが必要であるが,Si に比べSiC は放射線耐性についての詳細なデータが少ない.そのため当研究室ではvan der Pauw 法を用いたHall 効果測定によりキャリア密度と移動度の温度依存性を測定した.その結果,高エネルギーの電子線照射によりキャリア密度と移動度の減少が起こることが分かった.本研究では,各種散乱機構の内,実験で得られた正孔の移動度の変化に最も影響を与える散乱機構を検討する.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-11-30
著者
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
-
大島 武
原子力研究開発機構
-
小野田 忍
原子力研究開発機構
-
大嶋 武
原研高崎
-
小野田 忍
日本原子力研究開発機構
-
小野田 忍
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究所
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻
-
村田 耕司
大阪電気通信大学
-
森根 達也
大阪電気通信大学
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学
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