単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

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概要

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• CuInSe_2薄膜の放射線に対する損傷を調べることを目的とし、2MeVと3MeVの電子線照射前後のn形単結晶CuInSe_2薄膜の電気特性を調べた。高周波スパッタ法によりGaAs基板上にn型のCuInSe_2薄膜をエピタキシャル成長させた。電子線照射量が1×10^17cm^-2を越えるとCuInSe_2薄膜のキャリア濃度の減少が観測された。DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)法を用いて、電子線未照射のCuInSe_2薄膜と、電子線照射後のCuInSe_2薄膜の深い準位の評価を行った。その結果、電子線照射後の試料において未照射試料で観測された深い準位とは異なった振る舞いを示す準位が観測された。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2002-05-17

著者

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学工学部

• 吉田 明

  豊橋技科大

• 伊藤 久義

  原子力機構

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 吉田 明

  神奈川県立がんセンター乳腺甲状腺外科:甲状腺未分化癌コンソーシアム

• 藤田 尚樹

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 李 海錫

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所高崎研究所

• 伊藤 久義

  原研

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部

• 大島 武

  原研

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 李 海錫

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 藤田 尚樹

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 大島 武

  (独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学

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