マイクロ波励起リモートプラズマによる窒化インジウムエピタキシャル成長
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概要
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InNは他のナイトライド系化合物半導体に比べて基礎物性があまり明らかではなく、結晶成長が困難であるためエピタキシャル成長の報告例も少ないのが現状である。本研究ではエピタキシャル成長において本質的である成長用基板の選択問題に着目し、新しい基板としてMgAl_2O_4基板上ヘInNの成長を試みた。今まで経験的に用いられてきたα-Al_2O_3基板上に比べ、InN/MgAl_2O_4では同等以上の膜質を有するInN薄膜が得られた。結晶性評価に用いたロッキングカーブ測定における半値幅は約120arcsecでこれまでの報告の中では最小値となっている。また、AFM観察結果より、表面平坦性に優れていることもわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-05-23
著者
-
吉田 明
豊橋技術科学大学工学部
-
吉田 明
豊橋技科大
-
大西 正人
豊橋技術科学大学
-
三木 修
豊橋技術科学大学
-
吉田 明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
嶋田 香志
豊橋技術科学大学
-
土谷 徹
豊橋技術科学大学
-
斎木 久雄
三陽電機製作所
-
斎木 久雄
(株)三陽電機製作所
-
吉田 明
豊橋技術科学大学
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